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基于ATPG的电路抗老化输入矢量控制研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9-10页
第一章 绪论第15-22页
    1.1 课题研究背景与意义第15-19页
        1.1.1 集成电路老化效应第15-16页
        1.1.2 老化现象的物理机制第16-19页
    1.2 国内外研究现状第19页
    1.3 本文的课题来源和主要工作第19-21页
    1.4 本文的章节安排第21-22页
第二章 老化模型及研究方法第22-29页
    2.1 老化仿真建模第22-25页
        2.1.1 NBTI效应第22-24页
        2.1.2 晶体管和逻辑门老化模型第24-25页
    2.2 研究方法第25-28页
        2.2.1 ATPG工具在抗老化研究中应用第25-27页
        2.2.2 电路建模及老化仿真方法第27-28页
        2.2.3 HSPICE仿真工具第28页
    2.3 本章小结第28-29页
第三章 抗老化故障插入及关键门选取方法第29-46页
    3.1 抗老化的故障插入原理第29-34页
        3.1.1 考虑晶体管堆叠效应的故障插入第30-32页
        3.1.2 逻辑门种类对故障插入的影响第32-34页
    3.2 在关键门上插入固定故障第34-38页
        3.2.1 老化关键路径的生成第34-37页
        3.2.2 老化关键门的选取第37-38页
    3.3 使用Atalanta工具生成输入矢量集合第38-41页
        3.3.1 故障列表生成算法第38-40页
        3.3.2 生成抗老化的输入矢量集合第40-41页
    3.4 实验结果与分析第41-45页
    3.5 本章小结第45-46页
第四章 静态时序分析及IVC控制电路的硬件实现第46-55页
    4.1 电路老化时序分析算法第46-48页
    4.2 IVC扫描链电路的设计第48-51页
        4.2.1 板级输入矢量控制电路设计第49-50页
        4.2.2 芯片级输入矢量扫描链实现第50-51页
    4.3 实验结果与分析第51-54页
    4.4 本章小结第54-55页
第五章 总结与展望第55-57页
    5.1 工作总结第55页
    5.2 工作展望第55-57页
参考文献第57-61页
攻读硕士期间的学术活动及成果情况第61页

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