| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·研究背景与问题的提出 | 第11-14页 |
| ·技术路线与研究方法 | 第14-20页 |
| ·有限元分析在器件可靠性研究中的应用 | 第15-18页 |
| ·实验验证方法 | 第18-20页 |
| ·三点弯曲测试实验 | 第18-19页 |
| ·电子元器件可靠性实验 | 第19-20页 |
| ·本论文主要工作 | 第20-23页 |
| ·Flip-chip 芯片背部的应力分析及改进方法研究 | 第20-21页 |
| ·Wire bonding 器件内部应力分析及改善方法 | 第21-23页 |
| 第二章 Flip-chip 芯片背部的应力分析及改善方法研究 | 第23-50页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·氮化物薄膜对芯片机械性能的影响 | 第24-33页 |
| ·氮化物薄膜对芯片背部应力的影响 | 第24-29页 |
| ·功率测试条件 | 第25-26页 |
| ·温度循环试验条件 | 第26-28页 |
| ·仿真分析 | 第28-29页 |
| ·氮化物薄膜对芯片断裂强度的影响 | 第29-33页 |
| ·氮化物薄膜对芯片背部缺陷及周边的应力研究 | 第33-49页 |
| ·相关理论 | 第34-39页 |
| ·应力强度因子 | 第34-38页 |
| ·裂纹尖端区域的应力 | 第38-39页 |
| ·仿真分析 | 第39-46页 |
| ·模型和载荷 | 第39-42页 |
| ·未镀膜模型分析 | 第42-44页 |
| ·镀膜模型分析 | 第44-46页 |
| ·实验结果分析 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 Wire bonding 器件内部应力分析及改善方法研究 | 第50-69页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·器件结构设计的研究 | 第51-59页 |
| ·引线框架厚度对散热的影响 | 第51-55页 |
| ·芯片厚度对应力分布的影响 | 第55-57页 |
| ·引线框架形状对应力分布的影响 | 第57-59页 |
| ·封装材料选择的研究 | 第59-68页 |
| ·实验与仿真设计 | 第59-61页 |
| ·实验结果与分析 | 第61-65页 |
| ·仿真结果与分析 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 结论 | 第69-70页 |
| ·本文的主要结论 | 第69页 |
| ·下一步工作的展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
