| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 前言 | 第6-7页 |
| 第一章 CMOS集成电路清洗工艺的历史及挑战 | 第7-25页 |
| 第一节 集成电路发展的历史 | 第7-16页 |
| ·什么是集成电路 | 第7页 |
| ·集成电路的分类 | 第7-8页 |
| ·集成电路发展的历史 | 第8-14页 |
| ·CMOS集成电路发展所面临的挑战 | 第14-16页 |
| 第二节 集成电路清洗工艺发展的历史及挑战 | 第16-25页 |
| ·集成电路清洗工艺发展的历史 | 第16页 |
| ·集成电路污染物的分类 | 第16-17页 |
| ·湿法清洗工艺 | 第17-20页 |
| ·干法清洗工艺 | 第20-23页 |
| ·集成电路清洗工艺的设备 | 第23页 |
| ·集成电路清洗工艺发展的挑战 | 第23-25页 |
| 第二章 CMOS集成电路生产工艺流程及栅氧化层预清洗 | 第25-41页 |
| 第一节 CMOS集成电路生产工艺流程 | 第25-33页 |
| ·CMOS反相器 | 第25-26页 |
| ·主要工艺模块 | 第26-27页 |
| ·单晶硅外延(Epitaxy) | 第27页 |
| ·浅沟槽隔离(STI) | 第27-28页 |
| ·阱工程(Well) | 第28页 |
| ·栅工艺(Gate) | 第28-30页 |
| ·NMOS轻掺杂漏极(NLDD)和袋状(Pocket)注入工艺 | 第30页 |
| ·PMOS轻掺杂漏极(PLDD)和袋状(Pocket)注入工艺 | 第30-31页 |
| ·间隙壁工艺(Spacer) | 第31-32页 |
| ·源漏极注入工艺(Source/Drain IMP) | 第32-33页 |
| 第二节 栅氧化层生长的预清洗工艺 | 第33-41页 |
| ·栅氧化层预清洗工艺原理 | 第34页 |
| ·光刻胶去除溶液(SPM)工艺原理 | 第34-35页 |
| ·快速倾卸冲洗热水槽(HQDR)工艺原理 | 第35-36页 |
| ·稀释氟化氢溶液(DHF)工艺原理 | 第36页 |
| ·溢水槽(OF)工艺原理 | 第36-37页 |
| ·一号标准液(SC1)工艺原理 | 第37-38页 |
| ·快速倾卸冲洗水槽(QDR)工艺原理 | 第38页 |
| ·二号标准液(SC2)工艺原理 | 第38-39页 |
| ·干燥处理槽(Dry)工艺原理 | 第39-41页 |
| 第三章 牺牲氧化层的湿法蚀刻对栅氧化层生长的影响 | 第41-53页 |
| 第一节 硅表面特性随氢氟酸蚀刻时间的变化 | 第41-44页 |
| ·表面吸附 | 第41-42页 |
| ·氢终止 | 第42-43页 |
| ·憎水和亲水表面 | 第43-44页 |
| 第二节 稀氢氟酸蚀刻率的变化 | 第44-48页 |
| ·湿法蚀刻及工艺参数和特点 | 第44-45页 |
| ·稀氢氟酸蚀刻率及变化因素 | 第45-48页 |
| 第三节 现实大规模量产中出现的问题 | 第48-53页 |
| ·浅沟槽隔离(STI)与倒角(Divot) | 第48-50页 |
| ·0.13μm工艺牺牲氧化层的过蚀刻率 | 第50页 |
| ·现行牺牲氧化层的过蚀刻率对电性的影响 | 第50-51页 |
| ·现行牺牲氧化层的过蚀刻率对良率(Yield)的影响 | 第51-53页 |
| 第四章 牺牲氧化层的湿法蚀刻过蚀刻率的优化 | 第53-63页 |
| 第一节 牺牲氧化层的湿法蚀刻工艺优化条件的选择 | 第53-55页 |
| ·补偿法 | 第53页 |
| ·批数周期(Life Count)缩短法 | 第53-54页 |
| ·湿法蚀刻过蚀刻率优化法 | 第54-55页 |
| 第二节 牺牲氧化层过蚀刻率优化的可行性 | 第55-56页 |
| ·过蚀刻率优化法的工艺可行性 | 第55-56页 |
| ·过蚀刻率优化法的量产可行性 | 第56页 |
| 第三节 牺牲氧化层过蚀刻率优化的试验设计 | 第56-63页 |
| ·工艺试验设备 | 第56-57页 |
| ·工艺试验材料 | 第57-58页 |
| ·工艺试验方法 | 第58-59页 |
| ·牺牲氧化层过蚀刻率优化实验测试结果及讨论 | 第59-60页 |
| ·优化方案的认证(Qualification) | 第60-63页 |
| 第五章 总结及优化方案的效益评估 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
