分栅型闪存中浮栅氮化物硬掩膜层蚀刻工艺的优化
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 1 绪论 | 第12-18页 |
| ·非易失性闪存器件发展历史 | 第12-13页 |
| ·闪存存储器的常见架构 | 第13-15页 |
| ·闪存器件工作原理 | 第15-17页 |
| ·本论文的工作 | 第17-18页 |
| 2 等离子体蚀刻工艺 | 第18-26页 |
| ·蚀刻工艺的简介 | 第18-19页 |
| ·等离子体的基本概念与产生原理 | 第19-20页 |
| ·不同类型的等离子体蚀刻系统 | 第20页 |
| ·等离子体蚀刻的基本概念和特性 | 第20-22页 |
| ·电介质蚀刻基本概念和C/F 模型 | 第22-23页 |
| ·电介质等离子体蚀刻原理 | 第23-26页 |
| ·气相反应 | 第23-24页 |
| ·等离子体和被蚀刻硅片之间的相互作用 | 第24-26页 |
| 3 分栅型闪存及氮化物硬掩膜蚀刻工艺 | 第26-39页 |
| ·三栅分栅闪存器件简介 | 第26-30页 |
| ·器件结构 | 第26-28页 |
| ·芯片制造 | 第28-29页 |
| ·芯片测试 | 第29-30页 |
| ·浮栅层尖端问题提出 | 第30-34页 |
| ·硬掩膜蚀刻 | 第34-35页 |
| ·实验设备 | 第35-37页 |
| ·量测设备及实验分析工具 | 第37页 |
| ·实验设计 | 第37-39页 |
| 4 硬掩膜蚀刻工艺改进研究 | 第39-52页 |
| ·实验1－改变反应腔压力 | 第39-42页 |
| ·实验2－改变CF_4/CHF_3 的比例 | 第42-45页 |
| ·实验3－增加磁场 | 第45-47页 |
| ·实验4－同时增加O_2 气体的流量和反应腔压力 | 第47-50页 |
| ·解决方案 | 第50-52页 |
| 5 实验总结与展望 | 第52-56页 |
| ·实验总结 | 第52页 |
| ·分栅型闪存展望 | 第52-56页 |
| ·编程电压减小的问题 | 第52-53页 |
| ·编程耦合系数的问题 | 第53页 |
| ·新型结构的分栅闪存器件 | 第53-56页 |
| 6 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第62-64页 |
