刻蚀腔环境对电介质刻蚀混合制程的影响研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-12页
1 绪论	第12-15页
·本文研究的背景与动机	第12-13页
·刻蚀工艺的简介	第13-14页
·本文的研究内容与组织结构	第14-15页
2 干法刻蚀的基本理论	第15-20页
·等离子体的基本概念与产生	第15-16页
·不同类型的等离子体源	第16-17页
·等离子体刻蚀的基本概念和特性	第17-20页
3 电介质刻蚀的基本理论和模型	第20-28页
·电介质刻蚀的介绍	第20页
·电介质刻蚀中的C/F 比模型	第20-22页
·电介质刻蚀的基本机理	第22-25页
·气相反应	第22-23页
·等离子体和被刻蚀硅片之间的相互作用	第23-25页
·实验的测量方法	第25-28页
·光学发射光谱(OES)	第25-26页
·薄膜测量椭偏仪(SE)	第26-27页
·石英晶体膜厚监控仪(QCM)	第27页
·X 射线光电子能谱(XPS)	第27-28页
4 刻蚀腔环境对电介质刻蚀混合制程的影响研究	第28-40页
·实验1 的动机	第28-30页
·实验1 的介绍	第30-31页
·实验1 的结果与分析	第31-38页
·实验1 的小结	第38-40页
5 混合刻蚀工艺参数对聚合物的影响研究	第40-53页
·混合刻蚀制程工艺中的参数差异	第40-41页
·实验2 的介绍	第41-43页
·实验2 的结果与分析	第43-51页
·CF4/CHF3 的影响	第43-44页
·气体压力的影响	第44-48页
·O2 的影响	第48-51页
·实验2 的小结	第51-53页
6 刻蚀腔环境的变化对混合刻蚀制程影响的解决方案	第53-57页
·实验的结论	第53-54页
·刻蚀腔环境的变化对混合刻蚀制程影响的解决方案	第54-57页
7 总结	第57-58页
参考文献	第58-61页
致谢	第61-62页
攻读学位期间发表的学术论文	第62页