| 摘要 | 第2-3页 |
| abstract | 第3页 |
| 1 引言 | 第6-12页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第6-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本文主要的研究内容、方法 | 第10-12页 |
| 2 等离子体腔室计算的理论 | 第12-15页 |
| 2.1 PECVD腔室计算的静电场理论 | 第12页 |
| 2.2 全Maxwell方程理论 | 第12-14页 |
| 2.3 频域Maxwell方程 | 第14-15页 |
| 3 二维简化静电腔室模型的建立及验证 | 第15-33页 |
| 3.1 PECVD腔室计算理论 | 第15-16页 |
| 3.2 二维简化静电腔室模型的建立 | 第16-23页 |
| 3.3 二维简化静电腔室模型的验证 | 第23-32页 |
| 3.3.1 相应的三维腔室模型的计算 | 第23-30页 |
| 3.3.2 二维简化静电腔室模型的合理性的验证 | 第30-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 4 研究CCP腔室中功率沉积均匀性的影响因素 | 第33-44页 |
| 4.1 CCP腔室模型计算理论 | 第33-34页 |
| 4.2 CCP腔室计算及结果分析 | 第34-42页 |
| 4.2.1 CCP腔室模型的建立 | 第34-35页 |
| 4.2.2 CCP腔室模型的计算及结果分析 | 第35-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 5 基于E-λ插值的混合元法解决传统棱边元法的低频崩溃问题 | 第44-52页 |
| 5.1 泛函变分 | 第44-45页 |
| 5.2 有限元离散 | 第45-46页 |
| 5.3 E-λ插值法与传统法对比 | 第46-51页 |
| 5.3.1 E-λ插值混合元法的验证 | 第47-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |