CF4/Ar感性耦合等离子体增强准原子层刻蚀SiO2多尺度研究
| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 等离子体刻蚀的研究背景及意义 | 第8-11页 |
| 1.2 原子层刻蚀的研究背景及意义 | 第11-14页 |
| 1.3 离子能量和角度分布的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 原子层刻蚀的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究内容及结构安排 | 第17-18页 |
| 2 等离子体刻蚀多尺度模型 | 第18-28页 |
| 2.1 ICP腔室模型 | 第18-21页 |
| 2.2 鞘层混合模型 | 第21-24页 |
| 2.2.1 流体动力学模型 | 第21-23页 |
| 2.2.2 蒙特卡洛模型 | 第23-24页 |
| 2.3 表面反应与刻蚀槽演化模型 | 第24-28页 |
| 3 外部参数对ICP腔室物理特性的影响 | 第28-33页 |
| 3.1 离子密度 | 第28-30页 |
| 3.2 粒子通量 | 第30-32页 |
| 3.3 电子温度、密度分布 | 第32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 4 极板处离子能量及角度分布(IEADs) | 第33-44页 |
| 4.1 外部参数对离子能量分布(IEDs)的影响 | 第34-38页 |
| 4.1.1 偏压波形对IEDs的影响 | 第34-35页 |
| 4.1.2 放电参数对IEDs的影响 | 第35-38页 |
| 4.2 外部参数对离子角度分布(IADs)的影响 | 第38-43页 |
| 4.2.1 偏压波形对IADs的影响 | 第39页 |
| 4.2.2 放电参数对IADs的影响 | 第39-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 5 刻蚀槽形貌演化 | 第44-51页 |
| 5.1 不同刻蚀方法刻蚀槽形貌对比 | 第44-45页 |
| 5.2 偏压波形对刻蚀槽形貌演化的影响 | 第45页 |
| 5.3 放电参数对刻蚀槽形貌演化的影响 | 第45-49页 |
| 5.4 刻蚀槽形貌演化的深宽比依赖效应 | 第49-50页 |
| 5.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
