| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·本文研究内容 | 第10-11页 |
| ·本文结构 | 第11-13页 |
| 第二章 热载流子注入可靠性理论 | 第13-31页 |
| ·热载流子注入原理 | 第13-23页 |
| ·热载流子注入导致MOS器件性能退化的机理 | 第23-25页 |
| ·热载流子注入可靠性的评价方法 | 第25-29页 |
| ·热载流子注入可靠性测试方法 | 第29-31页 |
| 第三章 DDDMOSFET热载流子注入机理 | 第31-45页 |
| ·DDDMOSFET介绍 | 第31-35页 |
| ·HV DDDMOSFET特有的效应和工作机制 | 第35-37页 |
| ·N型DDDMOSFET的热载流子注入 | 第37-40页 |
| ·15V N型DDDMOSFET HCI研究 | 第40-45页 |
| 第四章 工艺优化对15vN型DDDMOSFET HCI的改进 | 第45-61页 |
| ·15V DDDMOSFET改进工艺设计 | 第45页 |
| ·栅氧高温退火对热载流子注入可靠性的改进 | 第45-47页 |
| ·优化Offset区掺杂条件对热载流子注入可靠性的改进 | 第47-51页 |
| ·优化Offset区推进条件对热载流子注入可靠性的改进 | 第51-58页 |
| ·综合优化Offset区工艺参数对热载流子注入可靠性的改进 | 第58-59页 |
| ·结论 | 第59-61页 |
| 第五章 总结和展望 | 第61-66页 |
| ·总结 | 第61-62页 |
| ·高压DDDMOSFET热载流子注入可靠性展望 | 第62-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 硕士期间发表学术论文 | 第72-73页 |
