0.5μm SOI CMOS器件建模与特性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·研究背景 | 第11-13页 |
| ·SOI的优越性 | 第13-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 SOI CMOS器件特性 | 第17-27页 |
| ·SOI材料制备 | 第17-20页 |
| ·SOI-CMOS器件的基本特性 | 第20-23页 |
| ·Kink效应 | 第21-22页 |
| ·寄生双击型晶体管效应 | 第22-23页 |
| ·自加热效应 | 第23页 |
| ·浮体特性的改进技术 | 第23-26页 |
| ·体接触技术 | 第23-25页 |
| ·沟道缺陷工程 | 第25-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第三章 基于SOI技术的器件设计 | 第27-39页 |
| ·本课题中采用的SOI工艺流程 | 第27-29页 |
| ·工艺参数优化 | 第29-32页 |
| ·版图的DRC设计规则 | 第32-34页 |
| ·SOI MOFET器件设计 | 第34-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 SOI PD-MOSFET器件建模 | 第39-70页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·B3SOI PD模型介绍 | 第40-46页 |
| ·模型相关参数表征 | 第40-43页 |
| ·PD SOI电流模型 | 第43-46页 |
| ·SOI PMOS模型参数提取 | 第46-66页 |
| ·测试建模工具 | 第48-49页 |
| ·器件尺寸选取 | 第49-52页 |
| ·器件DC测试 | 第52-56页 |
| ·器件模型参数提取 | 第56-66页 |
| ·基于SOI器件的RF开关电路 | 第66-69页 |
| ·TDD模式下的开关电路 | 第66-68页 |
| ·开关电路对SOI器件的选取 | 第68-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| ·本论文工作的总结 | 第70-71页 |
| ·下一步的工作展望 | 第71-72页 |
| 附录 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表及专利申请情况 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
