| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 GaN的基本性质 | 第11-15页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第11页 |
| ·GaN的化学性质 | 第11-12页 |
| ·GaN的电学性质 | 第12-13页 |
| ·GaN的光学性质 | 第13-15页 |
| 2 GaN的三种主要制备方法 | 第15-25页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE)技术 | 第15页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第15-16页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) | 第16-25页 |
| ·MOCVD技术的基本原理 | 第16-17页 |
| ·MOCVD技术的简单发展历程 | 第17-18页 |
| ·MOCVD生长系统概述 | 第18-19页 |
| ·MOCVD各个分系统简介 | 第19-25页 |
| 3 GaN薄膜材料的表征方法 | 第25-36页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM：Scanning electron microscope) | 第25-27页 |
| ·金相显微镜(Metallographic microscope) | 第27-28页 |
| ·光致发光谱(PL)测试 | 第28-30页 |
| ·X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜(Atom force microscope) | 第31-33页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第33-36页 |
| 4 电化学湿法选择性刻蚀实验 | 第36-48页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·湿法刻蚀GaN的研究背景 | 第37-39页 |
| ·电化学湿法刻蚀InGaN/GaN量子阱超晶格层剥离GaN外延 | 第39-43页 |
| ·以InGaN/GaN量子阱超晶格层作为牺牲层的外延薄膜的生长 | 第39-40页 |
| ·选择性湿法刻蚀InGaN/GaN量子阱超晶格层的实验过程 | 第40-41页 |
| ·选择性湿法刻蚀InGaN/GaN量子阱超晶格层的分析 | 第41-43页 |
| ·选择性湿法刻蚀InGaN/GaN量子阱超晶格层的结论 | 第43页 |
| ·电化学湿法刻蚀n-GaN层剥离GaN外延 | 第43页 |
| ·以n-GaN层作为牺牲层的外延薄膜的生长 | 第43-44页 |
| ·以n-GaN层作为牺牲层的GaN外延的表征 | 第44-48页 |
| 5 电化学湿法刻蚀来剥离GaN外延层 | 第48-58页 |
| ·刻蚀前的准备工作 | 第48页 |
| ·选择性湿法刻蚀的实验过程 | 第48-49页 |
| ·刻蚀时间对选择性湿法刻蚀的影响 | 第49-51页 |
| ·选择性湿法刻蚀对InGaN/GaN量子阱的影响 | 第51-55页 |
| ·电化学剥离GaN外延前后的应力变化 | 第55-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
