| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 前言 | 第6-16页 |
| §1.1 课题的研究背景及意义 | 第6-11页 |
| §1.1.1 湿法刻蚀 | 第6-8页 |
| §1.1.2 干法刻蚀 | 第8-11页 |
| §1.2 常压低温等离子体及其在刻蚀工艺方面的应用及现状 | 第11-14页 |
| §1.2.1 电晕放电等离子体技术 | 第11-12页 |
| §1.2.2 等离子体炬技术 | 第12页 |
| §1.2.3 常压射频冷等离子体技术 | 第12-14页 |
| §1.3 本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 等离子体的生成方法及实验的建立 | 第16-28页 |
| §2.1 等离子体简介 | 第16-18页 |
| §2.2 等离子体发生机理 | 第18-19页 |
| §2.3 实验方法的建立 | 第19-28页 |
| §2.3.1 射频电源 | 第19-22页 |
| §2.3.2 等离子体放电装置 | 第22-25页 |
| §2.3.3 光谱测试设备 | 第25-28页 |
| 第三章 常压射频冷等离子体放电的物理特性研究 | 第28-39页 |
| §3.1 常压射频冷等离子体喷枪的物理特性 | 第28-36页 |
| §3.1.1 常压射频等离子体喷枪氩气／氧气和氦气／氧气放电的温度比较 | 第28-34页 |
| §3.1.2 氧气在常压射频等离子体喷枪氦气／氧气放电时的作用 | 第34-36页 |
| §3.2 浸入式常压射频冷等离子体设备的物理特性 | 第36-39页 |
| 第四章 常压射频冷等离子体刻蚀高温烘烤后光刻胶的实验研究 | 第39-46页 |
| §4.1 高温烘烤后光刻胶的去胶原理 | 第39-40页 |
| §4.2 实验数据的分析 | 第40-45页 |
| §4.2.1 输入功率对去胶速率的影响 | 第40-42页 |
| §4.2.2 气体流量对去胶速率的影响 | 第42-43页 |
| §4.2.3 烘烤温度对去胶速率的影响 | 第43-45页 |
| §4.3 去胶后结果分析 | 第45-46页 |
| 第五章 常压射频冷等离子体刻蚀硅的实验研究 | 第46-57页 |
| §5.1 刻蚀气体及掩模材料的选择 | 第46-47页 |
| §5.2 样品刻蚀前的处理及光刻工艺 | 第47页 |
| §5.3 实验数据的分析 | 第47-52页 |
| §5.3.1 输入功率对刻蚀速率的影响 | 第48-49页 |
| §5.3.2 SF_6流量对刻蚀速率的影响 | 第49-50页 |
| §5.3.3 氩气流量对刻蚀速率的影响 | 第50-51页 |
| §5.3.4 衬底温度对刻蚀速率的影响 | 第51-52页 |
| §5.4 刻蚀结果分析 | 第52-54页 |
| §5.5 实验中待解决的问题 | 第54-57页 |
| 第六章 总结 | 第57-59页 |
| §6.1 总结 | 第57-58页 |
| §6.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 在学期间发表的论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
