| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-23页 |
| 1．1 GaAs半导体材料 | 第11-13页 |
| 1．2 SI-GaAs单晶材料性质 | 第13-15页 |
| 1．2．1 SI GaAs中主要的电活性剩余杂质 | 第13-14页 |
| 1．2．2 SI GaAs中的点缺陷 | 第14-15页 |
| 1．3 GaAs器件 | 第15-17页 |
| 1．4 GaAs逻辑单元电路 | 第17-19页 |
| 1．5 GaAs集成电路的发展 | 第19-22页 |
| 1．6 国内外GaAs阈值电压均匀性研究概况 | 第22-23页 |
| 第二章 GaAs MESFET | 第23-33页 |
| 2．1 GaAs MESFET物理模型 | 第24-30页 |
| 2．2 GaAs MESFET的PSPICE模型 | 第30-31页 |
| 2．3 小结 | 第31-33页 |
| 第三章 GaAs MESFET阈值电压均匀性研究 | 第33-57页 |
| 3．1 GaAs MESFET阈值电压均匀性 | 第33-34页 |
| 3．2 影响GaAs MESFET阈值电压均匀性的因素 | 第34-40页 |
| 3．3 阈值电压均匀性测试版图的设计 | 第40-46页 |
| 3．3．1 阈值电压均匀性测试版图的总体设计 | 第40-42页 |
| 3．3．2 测试结构及其原理 | 第42-46页 |
| 3．4 GaAs MESFET工艺及其对阈值电压均匀性的影响 | 第46-52页 |
| 3．4．1 GaAs MESFET工艺 | 第46-49页 |
| 3．4．2 不同工艺对GaAs MESFET阈值电压均匀性的影响 | 第49-52页 |
| 3．5 不同衬底材料的阈值电压均匀性比较 | 第52-56页 |
| 3．6 小结 | 第56-57页 |
| 第四章 GaAs MESFET旁栅效应研究 | 第57-71页 |
| 4．1 GaAs MESFET的旁栅效应 | 第57-58页 |
| 4．2 旁栅效应的特性及抑制旁栅效应的方法 | 第58-61页 |
| 4．2．1 旁栅效应的特性 | 第58-60页 |
| 4．2．2 抑制旁栅效应的方法 | 第60-61页 |
| 4．3 制备工艺对GaAs MESFET旁栅效应的影响 | 第61-62页 |
| 4．4 旁栅效应特性的研究 | 第62-69页 |
| 4．5 不同衬底材料的旁栅效应 | 第69-70页 |
| 4．6 小结 | 第70-71页 |
| 第五章 阈值电压自动测试系统 | 第71-86页 |
| 5．1 测量原理 | 第71-73页 |
| 5．2 阈值电压自动测试系统 | 第73-81页 |
| 5．2．1 系统组成 | 第73-77页 |
| 5．2．2 系统工作流程 | 第77-81页 |
| 5．3 实验 | 第81-85页 |
| 5．4 小结 | 第85-86页 |
| 第六章 光照对阈值电压均匀性的影响 | 第86-91页 |
| 6．1 实验设计 | 第86-87页 |
| 6．2 结果及分析 | 第87-90页 |
| 6．3 结论 | 第90-91页 |
| 第七章 SI-GaAs单晶片PL mapping研究 | 第91-99页 |
| 7．1 PL mapping原理 | 第91页 |
| 7．2 实验与分析 | 第91-97页 |
| 7．3 小结 | 第97-99页 |
| 第八章 结论 | 第99-102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 发表文章目录 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106页 |
