| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第12页 |
| 1.2 磁光波导的发展与应用 | 第12-13页 |
| 1.3 磁场传感器的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.4 磁光开关的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究内容以及创新点 | 第17-20页 |
| 第二章 硅基磁光波导的磁控特性 | 第20-27页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 磁光效应 | 第20-23页 |
| 2.2.1 磁光材料 | 第20-21页 |
| 2.2.2 磁光介质中的介电常数张量 | 第21-22页 |
| 2.2.3 不同磁化方向的磁光效应 | 第22-23页 |
| 2.3 磁光非互易相移特性 | 第23页 |
| 2.4 磁光波导结构的磁场依赖性 | 第23-25页 |
| 2.4.1 Ce:YIG/Si/SiO_2波导结构 | 第24页 |
| 2.4.2 Si O2/Si-Ce:YIG/SiO_2波导结构 | 第24-25页 |
| 2.4.3 Ce:YIG /Si-Ce:YIG/SiO_2波导结构 | 第25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 硅基磁光微环结构的磁场传感特性 | 第27-39页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 磁光信号处理芯片的设计方法 | 第27-30页 |
| 3.2.1 磁光信号芯片的设计方法与流程 | 第27-28页 |
| 3.2.2 仿真软件简介 | 第28-30页 |
| 3.3 基于磁光微环的一维磁场传感芯片 | 第30-32页 |
| 3.3.1 磁光微环结构的传感原理 | 第30-31页 |
| 3.3.2 一维磁场传感芯片的结构 | 第31-32页 |
| 3.4 基于Ce:YIG/Si-Ce:YIG/SiO_2波导结构的二维磁场传感芯片 | 第32-36页 |
| 3.4.1 Ce:YIG/Si-Ce:YIG/SiO_2波导结构的磁场依赖性 | 第32-33页 |
| 3.4.2 Ce:YIG/Si-Ce:YIG/SiO-2波导结构的二维磁场测量 | 第33-36页 |
| 3.5 两微环单元结构的三维磁场传感芯片 | 第36-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 硅基磁光微环及Sagnac开关结构 | 第39-53页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 串联微环磁光开关芯片 | 第39-44页 |
| 4.2.1 微环传输特性 | 第39-42页 |
| 4.2.2 串联微环磁光开关 | 第42-44页 |
| 4.3 Sagnac磁光微环开关芯片 | 第44-52页 |
| 4.3.1 基于Sagnac的磁光开关芯片结构 | 第44-45页 |
| 4.3.2 串联微环的光场传递特性 | 第45-47页 |
| 4.3.3 串联磁光微环的非互易相移 | 第47-48页 |
| 4.3.4 Sagnac磁光开关特性 | 第48-50页 |
| 4.3.5 基于微环阵列的Sagnac磁光开关 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 Sagnac磁光开关的动态特性分析 | 第53-59页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 Sagnac磁光开关的动态特性 | 第53-55页 |
| 5.2.1 高频下的微带线特性阻抗 | 第53-54页 |
| 5.2.2 微带线阻抗的频率依赖性对Sagnac磁光开关动态性能的影响 | 第54-55页 |
| 5.3 磁光材料的微波特性 | 第55-58页 |
| 5.3.1 交变磁化下的磁化率张量 | 第55-56页 |
| 5.3.2 磁光材料Ce:YIG的交流磁化 | 第56-57页 |
| 5.3.3 光开关性能的比较 | 第57-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第59-60页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67页 |
