| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 功率半导体器件概述 | 第10-12页 |
| 1.2 IGBT器件发展概况 | 第12-18页 |
| 1.2.1 IGBT器件的发展概况 | 第12-15页 |
| 1.2.2 SOILIGBT的发展概况 | 第15-18页 |
| 1.3 本论文的主要内容与创新 | 第18-20页 |
| 第二章 超结SOILIGBT基本理论 | 第20-31页 |
| 2.1 超结高压功率器件基本理论 | 第20-25页 |
| 2.1.1 超结技术基本理论 | 第20-21页 |
| 2.1.2 超结结构制造工艺 | 第21-23页 |
| 2.1.3 超结横向高压功率器件 | 第23-25页 |
| 2.2 SOI高压功率器件基本理论 | 第25-30页 |
| 2.2.1 SOI技术制造工艺 | 第26-28页 |
| 2.2.2 介质场增强基本理论 | 第28-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 SEMI-SJSOILIGBT设计 | 第31-53页 |
| 3.1 器件结构设计 | 第31-41页 |
| 3.1.1 器件结构设计理论及仿真 | 第32-39页 |
| 3.1.2 混合传导模式理论 | 第39-41页 |
| 3.2 工艺流程设计 | 第41-45页 |
| 3.3 版图结构设计 | 第45-52页 |
| 3.3.1 器件直道区设计 | 第47-51页 |
| 3.3.1.1 Semi-SJSOILIGBT基本管设计 | 第47-48页 |
| 3.3.1.2 载流子存储结构Semi-SJSOILIGBT设计 | 第48-49页 |
| 3.3.1.3 阳极短路结构Semi-SJSOILIGBT设计 | 第49-51页 |
| 3.3.1.4 分段厚介质结构Semi-SJSOILIGBT设计 | 第51页 |
| 3.3.2 器件终端设计 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 SEMI-SJSOILIGBT实验与测试 | 第53-62页 |
| 4.1 Semi-SJSOILIGBT基本管测试 | 第54-57页 |
| 4.2 载流子存储结构Semi-SJSOILIGBT测试 | 第57-58页 |
| 4.3 阳极短路结构Semi-SJSOILIGBT测试 | 第58-59页 |
| 4.4 分段厚介质结构Semi-SJSOILIGBT测试 | 第59-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 全文总结 | 第62-63页 |
| 5.2 下阶段实验展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70-71页 |
