| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 CVD 简介 | 第9-18页 |
| 1.2.1 CVD 工艺原理 | 第9-11页 |
| 1.2.2 集成电路制造中 CVD 的工艺类型 | 第11-18页 |
| 1.2.2.1 常压 CVD (APCVD) | 第11-12页 |
| 1.2.2.2 低压 CVD (LPCVD) | 第12-14页 |
| 1.2.2.3 等离子体辅助 CVD (PECVD) | 第14-17页 |
| 1.2.2.4 高密度等离子体辅助 CVD (HDP CVD) | 第17-18页 |
| 1.3 CVD 技术的发展 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的思路与创新之处 | 第19-20页 |
| 第二章 高密度等离子体辅助 CVD 淀积设备和工艺原理 | 第20-34页 |
| 2.1 HDP CVD 薄膜淀积设备介绍 | 第20-25页 |
| 2.1.1 CENTURA ULTIMA机台系统简介 | 第20-23页 |
| 2.1.2 CENTURA ULTIMA HDP CVD 反应腔简介 | 第23-25页 |
| 2.2 高密度等离子体辅助 CVD 工艺原理 | 第25-33页 |
| 2.2.1 等离子体辅助 CVD（PECVD）的局限 | 第25-27页 |
| 2.2.2 高密度等离子体辅助 CVD（HDP CVD）的工艺原理 | 第27-32页 |
| 2.2.3 HDP CVD 工艺薄膜淀积的工艺程式 | 第32-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 高密度等离子体辅助 CVD 工艺在集成电路制造中的应用 | 第34-41页 |
| 3.1 HDP CVD 薄膜在集成电路制造中的应用 | 第34-35页 |
| 3.2 集成电路制造中对 HDP CVD 薄膜的工艺要求 | 第35页 |
| 3.3 高密度等离子体辅助 CVD 薄膜的测量参数 | 第35-40页 |
| 3.3.1 厚度（Thickness） | 第35-36页 |
| 3.3.2 折射系数（Refractive Index，RI） | 第36-37页 |
| 3.3.3 湿法刻蚀速率(Wet Etch Rate，WER) | 第37页 |
| 3.3.4 应力（Stress） | 第37-38页 |
| 3.3.5 淀积刻蚀比（DS Ratio） | 第38-40页 |
| 3.3.6 掺杂元素的含量的测量 | 第40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 HDP CVD 在集成电路生产中缺陷的研究和改善 | 第41-56页 |
| 4.1 空洞缺陷（Void）的形成机理 | 第41-42页 |
| 4.2 总刻蚀速率的测量 | 第42-43页 |
| 4.3 总淀积速率的测量 | 第43页 |
| 4.4 影响总刻蚀速率的相关参数 | 第43-48页 |
| 4.5 影响总淀积速率的相关参数 | 第48-51页 |
| 4.6 生产中空洞缺陷的排查方法 | 第51-54页 |
| 4.7 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
