原子层淀积二氧化钛叠层栅介质特性的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·目前半导体器件所面临的问题 | 第8-11页 |
| ·SiO_2作为栅介质的特点 | 第8-9页 |
| ·传统SiO_2作为栅介质的局限性 | 第9-11页 |
| ·高 K 栅介质 | 第11-14页 |
| ·新型高 K 栅介质材料需要满足的条件 | 第12-14页 |
| ·高 k 层叠结栅介质 | 第14页 |
| ·本文的主要研究工作及内容安排 | 第14-17页 |
| 第二章 原子层沉积技术 | 第17-25页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·原子层沉积技术的原理 | 第17-21页 |
| ·原子层淀积技术的工艺流程 | 第18-19页 |
| ·原子层淀积中的前驱体 | 第19-21页 |
| ·原子层淀积技术的应用 | 第21-22页 |
| ·各种薄膜制备技术的对比 | 第22-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第三章 硅衬底原子层淀积TiO 2薄膜 | 第25-33页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·RCA 标准清洗工艺 | 第26-27页 |
| ·硅片清洗的重要意义 | 第26页 |
| ·硅片清洗的工艺原理 | 第26页 |
| ·RCA 标准清洗工艺流程 | 第26-27页 |
| ·实验流程 | 第27-30页 |
| ·硅片的 RCA 清洗 | 第27-28页 |
| ·制备TiO 2薄膜 | 第28-30页 |
| ·栅电和背面电的制备 | 第30页 |
| ·小结 | 第30-33页 |
| 第四章 薄膜特性的表征实验 | 第33-45页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·薄膜 AFM 表面形貌分析 | 第33-37页 |
| ·AFM 基本原理 | 第33-34页 |
| ·AFM 表面形貌分析 | 第34-37页 |
| ·薄膜 TEM 微结分析 | 第37-39页 |
| ·TEM 基本原理 | 第37页 |
| ·氩离子减薄法制备 TEM 样品 | 第37-38页 |
| ·TEM 表面形貌试验 | 第38-39页 |
| ·XPS 化学组分分析 | 第39-42页 |
| ·XPS 基本原理 | 第40页 |
| ·XPS 分析 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-45页 |
| 第五章 高介电常数TiO_2薄膜的漏电流特性 | 第45-53页 |
| ·影响漏电流的主要传导机制及模型 | 第45-47页 |
| ·MOS 器件直接隧穿栅电流的影响 | 第47-48页 |
| ·MOS 器件 F-N 隧穿电流的影响 | 第48-50页 |
| ·MOS 器件的 P-F 发射效应的影响 | 第50页 |
| ·高 KTiO 2栅介质薄膜漏电流分析 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
