| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·MOS 器件热载流子效应特性 | 第7-8页 |
| ·热载流子效应评估标准 | 第8页 |
| ·超薄栅器件可靠性发展趋势 | 第8-9页 |
| ·研究背景 | 第9页 |
| ·论文概要 | 第9-11页 |
| 第二章 P 型MOS 器件可靠性 | 第11-17页 |
| ·P 型MOS 热载流子退化原理和特性 | 第11-12页 |
| ·PMOS NBTI 退化介绍 | 第12-17页 |
| 第三章 超薄栅PMOS 器件热载流子退化特性的研究 | 第17-27页 |
| ·实验条件 | 第17页 |
| ·测量设备简介 | 第17-18页 |
| ·自动测试仪器HP4072 硬件参数和配置 | 第17页 |
| ·系统内连接的仪器 | 第17-18页 |
| ·不同栅压应力下退化试验 | 第18-22页 |
| ·反向量测方法的目的 | 第22-23页 |
| ·用反向量测方法分析PMOS 器件热载流子退化 | 第23-25页 |
| ·结论 | 第25-27页 |
| 第四章 界面陷阱和氧化层电荷退化作用的表征 | 第27-47页 |
| ·界面陷阱和氧化层电荷 | 第27页 |
| ·用CP 方法侦测界面陷阱和氧化层电荷 | 第27-31页 |
| ·实验条件 | 第31页 |
| ·测量设备简介 | 第31页 |
| ·高栅压应力电压（Vg=Vd）模式退化的表征 | 第31-32页 |
| ·热载流子应力下产生氧化层电荷与应力时间关系 | 第32-45页 |
| ·总结 | 第45-47页 |
| 第五章 MOS 器件热载流子温度效应 | 第47-50页 |
| ·低温下器件参数验证 | 第47页 |
| ·热载流子退化受温度影响特性和原理 | 第47-48页 |
| ·N 型和P 型MOS 退化温度效应比较 | 第48-49页 |
| ·总结 | 第49-50页 |
| 第六章 NBTI 效应对超薄栅MOS 器件退化表征 | 第50-57页 |
| ·PMOS 器件可靠性发展趋势 | 第50-51页 |
| ·NBTI 寿命模型 | 第51-54页 |
| ·非均匀 NBTI 应力效应研究 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| 第七章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·PMOS 热载流子效应的表征 | 第57页 |
| ·界面陷阱和氧化层电荷作用下 PMOS 器件失效机理 | 第57-58页 |
| ·PMOS NBTI 效应的研究进展 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
