铜互连中PVD Ta/TaN阻挡层的性能改进与缺陷控制研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| ·研究目的与意义 | 第11-12页 |
| ·内容简介 | 第12-13页 |
| 第二章 半导体铜互连工艺的相关知识 | 第13-20页 |
| ·布线技术的革命:基于铜的金属化 | 第13-15页 |
| ·铜布线工艺概述 | 第13页 |
| ·电镀工艺的说明 | 第13-14页 |
| ·总结 | 第14-15页 |
| ·低K 材料异军突起，渐成主流 | 第15-17页 |
| ·集成与多孔性 | 第15-16页 |
| ·多孔性与密度 | 第16页 |
| ·低k 材料的度量 | 第16-17页 |
| ·先进工艺技术的互连集成所面对的挑战 | 第17-20页 |
| ·线电阻 | 第17页 |
| ·维持低k 完整性 | 第17-18页 |
| ·CMP 兼容性 | 第18页 |
| ·铜缺陷 | 第18页 |
| ·小结 | 第18-20页 |
| 第三章 淀积阻挡层前预除气（Degas）实验 | 第20-27页 |
| ·预除气（Degas）原理 | 第21-22页 |
| ·时间长度对 Degas 效果的影响 | 第22-24页 |
| ·预除气（Degas）实验数据 | 第24-26页 |
| ·预除气实验小结 | 第26-27页 |
| 第四章 预清除（Pre-clean）实验 | 第27-34页 |
| ·预清除（Pre-clean）原理 | 第27-28页 |
| ·氩气溅射和反应溅射综合比较 | 第28-33页 |
| ·氩气溅射的最大优劣 | 第29页 |
| ·氩气溅射的时间长短 | 第29-30页 |
| ·氩气溅射与反应溅射的比较 | 第30-32页 |
| ·反应溅射中低k 介电材料的损害 | 第32-33页 |
| ·预清除实验小结 | 第33-34页 |
| 第五章 阻挡层沉积过程实验 | 第34-43页 |
| ·物理气相沉积腔原理 | 第34-35页 |
| ·阻挡层沉积原理 | 第35-37页 |
| ·沉积均匀性 | 第36页 |
| ·通孔内沉积 | 第36页 |
| ·大马士革结构沉积 | 第36-37页 |
| ·关键的阻挡层沉积过程 | 第37-38页 |
| ·阻挡层沉积过程实验数据 | 第38-42页 |
| ·阻挡层沉积小结 | 第42-43页 |
| 第六章 铜种子层研究 | 第43-49页 |
| ·铜种子层沉积原理 | 第43-44页 |
| ·种子层沉积过程 | 第44-45页 |
| ·种子层沉积过程实验数据 | 第45-49页 |
| 第七章 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 攻读学位期间发表的成果 | 第53页 |
