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基于0.18μm RF-CMOS工艺的10bit 100MS/s采样保持电路设计及优化

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 引言第9-13页
   ·论文研究意义第9-10页
   ·国内外发展现状第10-11页
   ·S/H 电路发展趋势第11-12页
   ·论文结构框架第12-13页
第二章 采样/保持电路基本原理第13-30页
   ·采样原理第13页
   ·信号频谱分析第13-16页
   ·S/H 电路第16-19页
     ·开环结构第17页
     ·闭环结构第17-19页
   ·采样开关第19-30页
     ·开关模型第19-20页
     ·开关非理想效应第20-25页
     ·典型采样开关结构第25-30页
第三章 低压工艺对S/H 电路影响研究第30-43页
   ·概述第30-31页
   ·信噪比第31-32页
   ·电路速度第32-33页
   ·功耗第33-36页
     ·强反型饱和区MOS 管功耗第33-34页
     ·弱反型饱和区MOS 管功耗第34-35页
     ·受摆率影响的功耗变化第35页
     ·受工艺影响的功耗变化第35页
     ·功耗总结第35-36页
   ·匹配的改善第36-37页
   ·运算放大器第37-39页
   ·MOS 开关导通电阻第39-43页
第四章 10bit 100MS/s S/H 电路设计第43-56页
   ·基本指标第43-45页
     ·时域指标第43-44页
     ·频域指标第44-45页
   ·总体采样结构选择第45-46页
   ·采样开关参数计算第46-48页
     ·开关时间常数第46-47页
     ·热噪声第47-48页
   ·运放参数计算第48-53页
     ·开环增益第49-50页
     ·建立时间第50-52页
     ·偏置电流及输入管跨导第52-53页
   ·共模反馈电路的设计第53-56页
第五章 S/H 电路仿真结果及版图规划第56-67页
   ·采样开关第56-58页
   ·运放电路第58-62页
     ·运放主体电路第58-59页
     ·运放偏置电路第59-60页
     ·共模反馈电路第60-62页
   ·S/H 总体电路第62-65页
   ·S/H 电路版图规划第65-67页
第六章 结论与展望第67-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-73页
攻硕期间取得的研究成果第73-74页

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