氮化硅应力引入技术及实现

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-11页
·引言	第7-8页
·国内外发展现状	第8-9页
·本论文的研究工作及章节安排	第9-11页
第二章 应变硅技术	第11-27页
·应力产生基本原理	第11-14页
·应变硅材料生长的临界厚度	第14-15页
·应变硅迁移率	第15-17页
·电子迁移率	第15页
·空穴迁移率	第15-17页
·应变硅器件类型	第17-19页
·应变硅器件应力引入方法	第19-25页
·全局应变应力引入技术	第19-22页
·局部应变应力引入技术	第22-25页
·本章小结	第25-27页
第三章 氮化硅致应变技术	第27-49页
·双应力衬垫技术	第27-30页
·氮化硅致应变相关技术	第30-33页
·应力记忆技术	第30-31页
·氮化硅致应变与SiGe注入源/漏相结合	第31-32页
·压应力类钻碳薄膜技术	第32-33页
·薄膜淀积方法	第33-34页
·化学气相淀积	第34页
·等离子体增强化学气相淀积	第34页
·薄膜内应力研究	第34-35页
·热应力	第35页
·本征应力	第35页
·氮化硅薄膜应力产生机理	第35-40页
·本征张应力氮化硅薄膜	第36-39页
·本征压应力氮化硅薄膜	第39-40页
·提高应变的改进方法	第40-45页
·张应力氮化硅薄膜	第40-44页
·压应力氮化硅薄膜	第44-45页
·氮化硅应力引入沟道机理	第45-47页
·本章小结	第47-49页
第四章 氮化硅薄膜生长条件分析	第49-57页
·高应力氮化硅薄膜淀积	第49页
·工艺参数与薄膜应力的关系	第49-50页
·实验方法与结果分析	第50-55页
·实验方法	第50-51页
·实验结果与分析	第51-55页
·本章小结	第55-57页
第五章 结论	第57-59页
致谢	第59-61页
参考文献	第61-65页