| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 GaN HEMT器件的优势及研究意义 | 第10-12页 |
| 1.2 GaN HEMT器件热特性的研究 | 第12-13页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第13-16页 |
| 第2章 GaN HEMT器件热特性的理论基础 | 第16-28页 |
| 2.1 结温测试方法介绍 | 第16-20页 |
| 2.1.1 红外热成像技术 | 第16-18页 |
| 2.1.2 电学测温技术 | 第18页 |
| 2.1.3 拉曼测温技术 | 第18-20页 |
| 2.2 热传导理论 | 第20-22页 |
| 2.2.1 热传导方程 | 第20-21页 |
| 2.2.2 定解条件 | 第21-22页 |
| 2.3 HEMT器件的仿真模型 | 第22-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 GaN HEMT器件热阻的影响机理研究 | 第28-42页 |
| 3.1 GaN HEMT器件仿真模型的建立与优化 | 第28-32页 |
| 3.1.1 不同壳温下的红外测试 | 第28-30页 |
| 3.1.2 SentaurusTCAD模型的优化 | 第30-32页 |
| 3.2 GaN HEMT器件沟道温度和热阻的计算 | 第32-35页 |
| 3.2.1 GaN HEMT器件热阻的计算 | 第32-34页 |
| 3.2.2 计算结果与模拟结果的对比 | 第34-35页 |
| 3.3 不同因素对GaN HEMT器件热阻的影响机理分析 | 第35-40页 |
| 3.3.1 热源尺寸对GaN HEMT器件热阻的影响机理 | 第35-36页 |
| 3.3.2 衬底厚度对GaN HEMT器件热阻的影响机理 | 第36-38页 |
| 3.3.3 源漏电压对GaN HEMT器件热阻的影响机理 | 第38-39页 |
| 3.3.4 源漏电流对GaN HEMT器件热阻的影响机理 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 GaN HEMT器件瞬态热特性的研究 | 第42-56页 |
| 4.1 GaN HEMT器件瞬态热特性的理论分析 | 第42-45页 |
| 4.2 不同参数对GaN HEMT器件瞬态热特性的影响 | 第45-52页 |
| 4.2.1 栅长对GaN HEMT器件瞬态热特性的影响 | 第46-48页 |
| 4.2.2 功率对GaN HEMT器件瞬态热特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.3 频率对GaN HEMT器件瞬态热特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.4 占空比对GaN HEMT器件瞬态热特性的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 基于GaN HEMT器件瞬态热响应的优化设计 | 第52-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
