| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 半导体制造工艺概述 | 第7-10页 |
| 1.2 离子注入技术对IC 产业发展的意义 | 第10-12页 |
| 1.3 本文结构 | 第12-13页 |
| 第二章 离子注入技术概述与特点分析 | 第13-26页 |
| 2.1 离子注入技术的原理 | 第13-20页 |
| 2.1.1 概念 | 第13-14页 |
| 2.1.2 离子注入系统 | 第14-16页 |
| 2.1.3 离子注入参数 | 第16-20页 |
| 2.2 离子注入技术的特点 | 第20-21页 |
| 2.2.1 离子注入的优点 | 第20-21页 |
| 2.2.2 离子注入的缺点 | 第21页 |
| 2.3 离子注入工艺中应注意的几个问题 | 第21-26页 |
| 2.3.1 注入损伤 | 第21-23页 |
| 2.3.2 沟道效应 | 第23页 |
| 2.3.3 退火 | 第23-26页 |
| 第三章 与离子注入相关工艺研究及离子注入仿真模拟 | 第26-43页 |
| 3.1 多次注入及掩膜 | 第26-29页 |
| 3.1.1 离子注入区域的杂质浓度 | 第26-27页 |
| 3.1.2 离子多次注入及掩膜 | 第27-29页 |
| 3.2 倾斜角度离子注入 | 第29页 |
| 3.3 高能量与大电流注入 | 第29-31页 |
| 3.4 离子注入仿真模拟 | 第31-43页 |
| 3.4.1 离子注入命令说明 | 第31-34页 |
| 3.4.2 离子注入仿真结果分析 | 第34-42页 |
| 3.4.3 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 离子注入技术在现代集成电路制造工艺中的应用 | 第43-52页 |
| 4.1 离子注入在浅结形成中的作用 | 第43-44页 |
| 4.1.1 浅结 | 第43页 |
| 4.1.2 超浅结 | 第43-44页 |
| 4.2 离子注入与隔离技术 | 第44-45页 |
| 4.3 阈值电压的控制与调节 | 第45页 |
| 4.4 埋层结构 | 第45-47页 |
| 4.4.1 深埋层 | 第45-47页 |
| 4.4.2 穿通阻挡层 | 第47页 |
| 4.5 其他应用 | 第47-50页 |
| 4.5.1 轻掺杂漏区 | 第47-48页 |
| 4.5.2 源漏注入 | 第48-49页 |
| 4.5.3 多晶硅栅 | 第49页 |
| 4.5.4 沟槽电容器 | 第49-50页 |
| 4.6 离子注入层的评估 | 第50-52页 |
| 第五章 现代半导体产业发展对离子注入技术的挑战 | 第52-59页 |
| 5.1 漏电流 | 第53-55页 |
| 5.2 浅结面 | 第55-56页 |
| 5.3 尺寸缩小与隔离 | 第56-57页 |
| 5.4 成本 | 第57-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 论文所做的工作 | 第59-60页 |
| 6.2 离子注入技术展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |