首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--制造工艺论文

90纳米DRAM深沟槽模块蚀刻工艺改善

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 概述第8-17页
    §1.1 课题背景第8-9页
    §1.2 动态随机存储器(DRAM)的简单介绍第9-11页
    §1.3 深沟槽(Deep Trench)式DRAM发展概述第11-15页
        §1.3.1 动态随机存储器分类概述第11页
        §1.3.2 深沟槽电容器制造的基本概念及历史背景第11-15页
    §1.4 选题的目的和意义第15-16页
    §1.5 论文的主要内容第16-17页
第二章 深沟槽电容器工艺制造流程第17-27页
    §2.1 深槽电容器的制造工艺流程第17-23页
        §2.1.1 深沟槽蚀刻工艺和瓶状沟槽的形成第17-19页
        §2.1.2 电容介质及上下基板工艺第19-20页
        §2.1.3 单边埋藏式连接带SSBS的形成第20-23页
    §2.2 蚀刻工艺简介第23-24页
    §2.2 深沟槽模块蚀刻的检测方法第24-27页
第三章 半导体中DOE方法第27-36页
    §3.1 从DOE中获益第27-28页
        §3.1.1 术语及DOE带给我们的好处第27页
        §3.1.2 对DOE的要求第27-28页
    §3.2 DOE计划第28-36页
        §3.2.1 建立一个DOE时的初步设想第29页
        §3.2.2 DOE所需要考虑的问题第29-31页
        §3.2.3 具有连续响应输出的DOE的样本大小第31-32页
        §3.2.4 DOE选择实验因素和因素水平第32-33页
        §3.2.5 区组化和随机化第33-34页
        §3.2.6 弯曲性检查第34页
        §3.2.7 DOE评估第34-36页
第四章 深沟槽模块工艺相关问题和解决方案第36-59页
    §4.1 问题描述第36-40页
        §4.1.1 深沟槽导致的电容偏小第36-37页
        §4.1.2 深沟槽尺寸过大造成瓶状沟槽短路第37-38页
        §4.1.3 深沟槽蚀刻中的缺陷第38-39页
        §4.1.4 SSBS蚀刻的工艺控制第39-40页
    §4.2 问题分析第40-50页
        §4.2.1 深沟槽蚀刻工艺简介第40-42页
        §4.2.2 深沟槽蚀刻设备简介第42-43页
        §4.2.3 深沟槽蚀刻工艺问题具体分析第43-48页
        §4.2.4 SSBS蚀刻工艺问题及具体分析第48-50页
    §4.3 问题解决方案第50-59页
        §4.3.1 深沟槽尺寸的改善方法第50-52页
        §4.3.2 硅片边缘区域电容的提高第52页
        §4.3.3 减少缺陷的方法第52-54页
        §4.3.4 SSBS蚀刻的工艺改善第54-56页
        §4.3.5 便捷有效的检测方法和后续工艺的利用第56-59页
第五章 总结第59-61页
参考文献第61-63页
致谢第63-64页

论文共64页,点击 下载论文
上一篇:我国优秀女子曲棍球运动员体能训练生理生化监控的初步研究
下一篇:机载视频通信系统中单载波快速自适应均衡技术的研究