| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 概述 | 第8-17页 |
| §1.1 课题背景 | 第8-9页 |
| §1.2 动态随机存储器(DRAM)的简单介绍 | 第9-11页 |
| §1.3 深沟槽(Deep Trench)式DRAM发展概述 | 第11-15页 |
| §1.3.1 动态随机存储器分类概述 | 第11页 |
| §1.3.2 深沟槽电容器制造的基本概念及历史背景 | 第11-15页 |
| §1.4 选题的目的和意义 | 第15-16页 |
| §1.5 论文的主要内容 | 第16-17页 |
| 第二章 深沟槽电容器工艺制造流程 | 第17-27页 |
| §2.1 深槽电容器的制造工艺流程 | 第17-23页 |
| §2.1.1 深沟槽蚀刻工艺和瓶状沟槽的形成 | 第17-19页 |
| §2.1.2 电容介质及上下基板工艺 | 第19-20页 |
| §2.1.3 单边埋藏式连接带SSBS的形成 | 第20-23页 |
| §2.2 蚀刻工艺简介 | 第23-24页 |
| §2.2 深沟槽模块蚀刻的检测方法 | 第24-27页 |
| 第三章 半导体中DOE方法 | 第27-36页 |
| §3.1 从DOE中获益 | 第27-28页 |
| §3.1.1 术语及DOE带给我们的好处 | 第27页 |
| §3.1.2 对DOE的要求 | 第27-28页 |
| §3.2 DOE计划 | 第28-36页 |
| §3.2.1 建立一个DOE时的初步设想 | 第29页 |
| §3.2.2 DOE所需要考虑的问题 | 第29-31页 |
| §3.2.3 具有连续响应输出的DOE的样本大小 | 第31-32页 |
| §3.2.4 DOE选择实验因素和因素水平 | 第32-33页 |
| §3.2.5 区组化和随机化 | 第33-34页 |
| §3.2.6 弯曲性检查 | 第34页 |
| §3.2.7 DOE评估 | 第34-36页 |
| 第四章 深沟槽模块工艺相关问题和解决方案 | 第36-59页 |
| §4.1 问题描述 | 第36-40页 |
| §4.1.1 深沟槽导致的电容偏小 | 第36-37页 |
| §4.1.2 深沟槽尺寸过大造成瓶状沟槽短路 | 第37-38页 |
| §4.1.3 深沟槽蚀刻中的缺陷 | 第38-39页 |
| §4.1.4 SSBS蚀刻的工艺控制 | 第39-40页 |
| §4.2 问题分析 | 第40-50页 |
| §4.2.1 深沟槽蚀刻工艺简介 | 第40-42页 |
| §4.2.2 深沟槽蚀刻设备简介 | 第42-43页 |
| §4.2.3 深沟槽蚀刻工艺问题具体分析 | 第43-48页 |
| §4.2.4 SSBS蚀刻工艺问题及具体分析 | 第48-50页 |
| §4.3 问题解决方案 | 第50-59页 |
| §4.3.1 深沟槽尺寸的改善方法 | 第50-52页 |
| §4.3.2 硅片边缘区域电容的提高 | 第52页 |
| §4.3.3 减少缺陷的方法 | 第52-54页 |
| §4.3.4 SSBS蚀刻的工艺改善 | 第54-56页 |
| §4.3.5 便捷有效的检测方法和后续工艺的利用 | 第56-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |