| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·辐照加工概述 | 第8-12页 |
| ·辐照加工的发展概况 | 第8-9页 |
| ·国外辐射加工 | 第9-10页 |
| ·国内辐射加工 | 第10页 |
| ·辐照加工在工艺领域的应用 | 第10-11页 |
| ·深圳电子辐照企业的发展现状 | 第11-12页 |
| ·电子辐照在灯用晶体管方面的应用 | 第12页 |
| ·辐照源 | 第12-13页 |
| ·电子加速器 | 第13-14页 |
| ·深爱公司在改善功率晶体管存储时间TS 方面的现有工艺 | 第14-15页 |
| ·本论文的选题背景和研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 电子辐照在改善功率晶体管存储时间TS方面的机理研究 | 第17-23页 |
| ·功率晶体管在电子镇流器、节能灯电路中的作用 | 第17-19页 |
| ·钴-60 辐照机理介绍 | 第19-21页 |
| ·钴-60 辐照机理 | 第19-20页 |
| ·原子移位 | 第20页 |
| ·级联碰撞引起的损伤扩展 | 第20-21页 |
| ·钴-60 辐照特点 | 第21页 |
| ·电子辐照机理介绍 | 第21-23页 |
| ·电子辐照原理 | 第21页 |
| ·电子辐照操作程序及结构图 | 第21-22页 |
| ·电子辐照主要优点 | 第22-23页 |
| 第三章 电子辐照工艺在改善存储时间TS方面的统计分析研究 | 第23-44页 |
| ·确认电子辐照工艺的操作方案 | 第23-40页 |
| ·确定电子辐照试验思路 | 第23-29页 |
| ·使用少量试验片确定型号、剂量和退火温度之间的关系 | 第29-31页 |
| ·扩大试验数量确认辐照剂量和退火温度 | 第31-34页 |
| ·对部分型号分档位辐照，确定最终试验模型 | 第34-40页 |
| ·对比深圳电子辐照和宁波电子辐照在改善存储时间方面的差别 | 第40-42页 |
| ·对比深圳电子辐照和宁波电子辐照TS 对比 | 第41页 |
| ·对比深圳电子辐照和宁波电子辐照小电流放大倍数对比 | 第41-42页 |
| ·对比封装后电子辐照和钴-60 辐照在改善存储时间方面的离散 | 第42-43页 |
| ·对比封装前后电子辐照存储时间方面的变化 | 第43-44页 |
| 第四章 工艺推广中的问题 | 第44-54页 |
| ·剂量的确定 | 第44-49页 |
| ·操作的规范化 | 第49-54页 |
| 第五章 推广后跟踪确认 | 第54-63页 |
| 第六章 总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
