| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 论文选题背景及意义 | 第15-16页 |
| 1.2 应用验证技术研究现状 | 第16页 |
| 1.3 论文主要工作及创新点 | 第16-18页 |
| 1.3.1 主要工作 | 第16-17页 |
| 1.3.2 本文创新点 | 第17-18页 |
| 1.4 论文章节安排 | 第18-19页 |
| 第二章 应用验证总体方案及其相关技术 | 第19-27页 |
| 2.1 应用验证仿真方案概述 | 第19-22页 |
| 2.2 应用验证仿真方案中的技术难点 | 第22-25页 |
| 2.2.1 IBIS模型建模技术 | 第22页 |
| 2.2.2 基于IBIS模型的高速PCB仿真技术 | 第22-23页 |
| 2.2.3 基于IBIS模型与S参数的联合仿真技术 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小节 | 第25-27页 |
| 第三章 数字IC器件的IBIS建模 | 第27-53页 |
| 3.1 IBIS模型概述 | 第27-31页 |
| 3.1.1 IBIS模型基本结构 | 第27-28页 |
| 3.1.2 IBIS模型建模意义 | 第28-29页 |
| 3.1.3 构建IBIS模型所需数据 | 第29-31页 |
| 3.2 IBIS模型数据的获取 | 第31-36页 |
| 3.2.1 硅片电容提取 | 第31-32页 |
| 3.2.2 箝位二极管I/V曲线的提取 | 第32-33页 |
| 3.2.3 上下拉网络I/V曲线的提取 | 第33-34页 |
| 3.2.4 V/t曲线数据的提取 | 第34-35页 |
| 3.2.5 I/V数据的后续处理 | 第35-36页 |
| 3.3 相关器件的IBIS建模 | 第36-47页 |
| 3.3.1 采用管级电路仿真法建立IBIS模型 | 第37-42页 |
| 3.3.2 利用模型转换工具建立IBIS模型 | 第42-47页 |
| 3.4 IBIS模型质量控制 | 第47-51页 |
| 3.4.1 模型数据有效性及语法检验 | 第47-49页 |
| 3.4.2 模型的质量分析 | 第49-51页 |
| 3.5 本章小节 | 第51-53页 |
| 第四章 SRAM的应用验证仿真实现 | 第53-79页 |
| 4.1 基于IBIS模型的板级应用环境仿真 | 第53-60页 |
| 4.1.1 应用系统PCB SI仿真 | 第53-55页 |
| 4.1.2 关键信号S参数的提取 | 第55-58页 |
| 4.1.3 基于IBIS模型和S参数的SI仿真 | 第58-60页 |
| 4.2 应用验证软件仿真平台搭建 | 第60-64页 |
| 4.2.1 软件仿真平台整体结构 | 第60页 |
| 4.2.2 应用环境的模拟及激励的产生 | 第60-62页 |
| 4.2.3 DUV的功能模型建模 | 第62-64页 |
| 4.3 软件仿真结果及分析 | 第64-69页 |
| 4.3.1 理想情况下的仿真结果分析 | 第65页 |
| 4.3.2 有延迟无噪声干扰时的仿真结果分析 | 第65-67页 |
| 4.3.3 有脉冲干扰但无延迟情况下的仿真结果分析 | 第67-68页 |
| 4.3.4 既有延迟又有脉冲干扰时的仿真结果分析 | 第68-69页 |
| 4.4 软硬件协同仿真验证平台的设计 | 第69-73页 |
| 4.4.1 验证平台总体设计 | 第69-70页 |
| 4.4.2 延迟控制单元的设计 | 第70-71页 |
| 4.4.3 验证平台PCB测试板的设计 | 第71-73页 |
| 4.5 软硬件协同仿真验证结果 | 第73-77页 |
| 4.5.1 测试方案设计 | 第73-74页 |
| 4.5.2 验证结果及分析 | 第74-77页 |
| 4.6 本章小节 | 第77-79页 |
| 第五章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |