| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-18页 |
| 1.2 研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 研究内容和创新点 | 第19-20页 |
| 1.4 本文组织结构 | 第20-22页 |
| 第二章 单粒子效应的基础知识 | 第22-28页 |
| 2.1 辐射效应 | 第22-25页 |
| 2.1.1 单粒子效应 | 第22-23页 |
| 2.1.2 单粒子效应模型 | 第23-25页 |
| 2.2 EDA仿真工具 | 第25-27页 |
| 2.2.1 HSPICE | 第25页 |
| 2.2.2 HSPICE使用 | 第25-26页 |
| 2.2.3 实例分析 | 第26-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 单粒子翻转加固锁存器设计方法 | 第28-39页 |
| 3.1 标准静态锁存器 | 第28-29页 |
| 3.2 C单元 | 第29-30页 |
| 3.3 单粒子单节点翻转加固锁存器 | 第30-35页 |
| 3.3.1 SIN-LC锁存器 | 第30-31页 |
| 3.3.2 HLR锁存器 | 第31页 |
| 3.3.3 HiPeR锁存器 | 第31-33页 |
| 3.3.4 FERST锁存器 | 第33页 |
| 3.3.5 TMR锁存器 | 第33-34页 |
| 3.3.6 HLR-CG1锁存器 | 第34-35页 |
| 3.3.7 HLR-CG2锁存器 | 第35页 |
| 3.4 单粒子双节点翻转加固锁存器 | 第35-38页 |
| 3.4.1 Delta DICE锁存器 | 第35-36页 |
| 3.4.2 NTHLTCH锁存器 | 第36-37页 |
| 3.4.3 HRDNUT锁存器 | 第37页 |
| 3.4.4 DNCS锁存器 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 本文提出的加固锁存器设计 | 第39-55页 |
| 4.1 容单粒子单节点翻转的STSRL锁存器 | 第39-46页 |
| 4.1.1 电路结构和工作原理 | 第39-41页 |
| 4.1.2 容错原理 | 第41-42页 |
| 4.1.3 仿真验证 | 第42-44页 |
| 4.1.4 性能评估 | 第44-46页 |
| 4.2 容忍单粒子双节点翻转的SEDNUTL锁存器 | 第46-54页 |
| 4.2.1 电路结构和工作原理 | 第46-47页 |
| 4.2.2 容错原理 | 第47-48页 |
| 4.2.3 仿真验证 | 第48-50页 |
| 4.2.4 性能评估 | 第50-51页 |
| 4.2.5 PVT变化对锁存器性能的影响 | 第51-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 全文总结 | 第55页 |
| 5.2 工作展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第60页 |