等离子体浸没离子注入系统及其应用研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| ·PⅢ研究背景及意义 | 第10-19页 |
| ·PⅢ研究现状 | 第19-24页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-34页 |
| 第二章 等离子体浸没离子注入技术介绍 | 第34-49页 |
| ·等离子体介绍 | 第34-36页 |
| ·等离子体 | 第34-35页 |
| ·鞘层 | 第35-36页 |
| ·等离子体浸没离子注入介绍 | 第36-38页 |
| ·等离子体浸没离子注入鞘层动力学 | 第38-44页 |
| ·等离子体浸没离子注入工艺表征参数 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第三章 ICP PⅢ系统核心部件研究 | 第49-71页 |
| ·PⅢ系统介绍 | 第49页 |
| ·工艺腔室 | 第49-52页 |
| ·射频系统的分析 | 第52-58页 |
| ·偏压系统的分析 | 第58-59页 |
| ·等离子体特性研究 | 第59-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 第四章 PⅢ制备黑硅材料及其在太阳电池应用研究 | 第71-105页 |
| ·研究背景 | 第71-76页 |
| ·黑硅材料研究 | 第76-94页 |
| ·实验材料和测试设备 | 第76-77页 |
| ·黑硅材料的表面形貌 | 第77-84页 |
| ·注入时间对黑硅表面形貌的影响 | 第77-78页 |
| ·气体流量比例对黑硅表面形貌的影响 | 第78-80页 |
| ·等离子体功率大小对黑硅表面形貌的影响 | 第80-81页 |
| ·脉冲偏压大小对黑硅表面形貌的影响 | 第81-83页 |
| ·可控制备多种结构的黑硅 | 第83-84页 |
| ·黑硅材料的光学特性 | 第84-87页 |
| ·黑硅材料的电学特性 | 第87-88页 |
| ·黑硅材料的疏水特性 | 第88-90页 |
| ·PⅢ制备黑硅的机理 | 第90-94页 |
| ·黑硅太阳电池研究 | 第94-101页 |
| ·实验材料和实验设备 | 第94页 |
| ·黑硅太阳电池制备流程 | 第94-95页 |
| ·单晶黑硅太阳电池研究 | 第95-98页 |
| ·多晶黑硅太阳电池研究 | 第98-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第五章 PⅢ注入掺杂制备pn结 | 第105-119页 |
| ·研究背景 | 第105-109页 |
| ·实验材料及测试设备 | 第109-110页 |
| ·磷元素的掺杂研究 | 第110-115页 |
| ·硼元素的掺杂研究 | 第115-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-119页 |
| 第六章 结论与展望 | 第119-122页 |
| ·论文工作总结 | 第119-120页 |
| ·未来工作展望 | 第120-122页 |
| 攻读学位期间发表论文、申请专利情况 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
