| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号表 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| §1 .1 概述 | 第14页 |
| §1.2 Ga_2 O_3材料的性质 | 第14-17页 |
| ·结构性质 | 第14-17页 |
| ·电学和光学性质 | 第17页 |
| §1.3 Ga_2O_3 材料的应用 | 第17-20页 |
| §1.4 Ga_2O_3材料的研究现状 | 第20-24页 |
| §1.5 课题的选取和研究的内容 | 第24-26页 |
| 本章参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 薄膜制备方法的介绍 | 第30-45页 |
| §2.1 薄膜制备技术 | 第30-35页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第30-31页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第31-33页 |
| ·溅射镀膜法 | 第33页 |
| ·分子束外延技术 | 第33-34页 |
| ·化学气相沉积法 | 第34-35页 |
| §2 .2 金属有机物化学气相沉积 | 第35-44页 |
| ·MOCVD的技术特点 | 第35-36页 |
| ·MOCVD的化学反应动力学和质量输运 | 第36-38页 |
| ·MOCVD的热力学分析 | 第38-39页 |
| ·MOCVD的表面过程 | 第39-40页 |
| ·MOCVD生长系统 | 第40-44页 |
| 本章参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 薄膜的制备及测试分析方法 | 第45-55页 |
| §3.1 本论文使用的MOCVD系统介绍 | 第45-47页 |
| §3.2 实验前的准备 | 第47-49页 |
| ·衬底的清洗 | 第48页 |
| ·原料的选取和实验参数的确定 | 第48-49页 |
| ·工艺流程的程序编辑 | 第49页 |
| §3 .3 本论文薄膜制备的工艺流程 | 第49-50页 |
| §3.4 薄膜性能的测试分析方法 | 第50-54页 |
| ·结构分析 | 第50-52页 |
| ·成分分析 | 第52页 |
| ·光学性质的测量 | 第52-54页 |
| 本章参考文献 | 第54-55页 |
| 第四章 蓝宝石衬底生长Ga_2O_3薄膜的研究 | 第55-68页 |
| §4.1 四种衬底上Ga_2O_3薄膜样品的制备与基本结构 | 第55-61页 |
| ·四种衬底上Ga_2O_3薄膜样品的制备 | 第55-56页 |
| ·四种衬底上Ga_2O_3薄膜样品的基本结构 | 第56-61页 |
| §4.2 退火对氧化镓结构性质的影响 | 第61-67页 |
| 本章参考文献 | 第67-68页 |
| 第五章 c面蓝宝石衬底外延β-Ga_2O_3薄膜的研究 | 第68-80页 |
| §5.1 衬底温度对Ga_2O_3薄膜结构的影响 | 第68-73页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的组分分析 | 第68-71页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的结构随衬底温度的变化 | 第71-72页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的表面形貌随衬底温度的变化 | 第72-73页 |
| §5.2 α-Al_2 O_3(0001)衬底上Ga_2 O_3薄膜外延生长机理分析 | 第73-77页 |
| §5.3 衬底温度对Ga_2O_3 薄膜光学性质的影响 | 第77-79页 |
| 本章参考文献 | 第79-80页 |
| 第六章 结论 | 第80-81页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| Paper 1 | 第83-93页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第93页 |
