InN的制备及其性质研究

摘要	第1-10页
ABSTRACT	第10-12页
主要符号表	第12-13页
第一章 引言	第13-20页
·Ⅲ-Ⅴ族氮化物薄膜概述	第13-14页
·InN薄膜的研究进展	第14-15页
·InN薄膜的性质	第15-19页
·结构性质	第15-17页
·光学性质、电学性质	第17-19页
·研究背景和主要内容	第19-20页
第二章 InN薄膜的制备方法及表征方法	第20-31页
·InN薄膜的制备方法	第20-22页
·溅射镀膜法	第20-21页
·脉冲激光沉积	第21页
·分子束外延	第21-22页
·氢化物气相外延	第22页
·InN薄膜性质的表征方法	第22-31页
·晶体结构分析	第23-24页
·薄膜表面形貌分析	第24-26页
·薄膜光学、电学性质的测试分析	第26-31页
第三章 MOCVD技术的概述及制备InN过程	第31-38页
·MOCVD技术原理	第31-32页
·MOCVD系统	第32-34页
·MOCVD系统的特点	第34-35页
·薄膜的制备	第35-38页
·实验准备	第35-36页
·薄膜的制备过程	第36-38页
第四章 MOCVD法制备InN薄膜的研究	第38-49页
·不同生长温度对InN薄膜性质的影响	第38-42页
·XRD分析	第39-40页
·SEM分析	第40-41页
·AFM分析	第41-42页
·不同Ⅴ-Ⅲ族比对InN薄膜性质的影响	第42-46页
·XRD分析	第42-44页
·SEM分析	第44-45页
·AFM分析	第45-46页
·InN薄膜光学、电学性质的分析	第46-49页
·光致发光谱(PL谱)分析	第46-47页
·InN薄膜的透过率分析	第47-48页
·霍尔测试分析	第48-49页
第五章 结论	第49-50页
参考文献	第50-53页
致谢	第53-54页
学位论文评阅及答辩情况表	第54页