首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--半导体器件制造工艺及设备论文--溅射论文

高温厚铝溅射时柱状突起缺陷的控制与优化

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
1 绪论第9-14页
2 背景介绍第14-23页
   ·铝薄膜成膜方法简介第14-20页
     ·铝溅射的基本原理第14-16页
     ·铝薄膜的生长过程第16-19页
     ·铝薄膜的力学性能第19-20页
   ·铝刻蚀简介第20页
   ·铝薄膜在 BCD 工艺中的应用第20-22页
     ·BCD 工艺基本概念第20-21页
     ·铝薄膜在 BCD 工艺中的应用第21-22页
   ·铝互连缺陷对产品的影响第22-23页
3 铝柱状突起缺陷形成原因定位及根因分析第23-41页
   ·铝柱状突起缺陷形成原因及危害分析第23-28页
   ·工艺条件对铝柱状突起缺陷的影响分析第28-32页
   ·铝溅射时温度变化分析第32-41页
4 在现有条件下如何控制和优化铝柱状突起缺陷第41-44页
   ·如何给爪式夹具降温第41-42页
   ·在实际产品应用效果确认第42-44页
5 总结和展望第44-45页
参考文献第45-46页
致谢第46页
攻读学位期间发表的学术论文第46-49页
上海交通大学学位论文答辩决议书第49页

论文共49页,点击 下载论文
上一篇:光电二极管在0.35μm CMOS工艺上的集成与优化
下一篇:关于基于结构式布局后端物理设计流程的改进方案研究