光电二极管在0.35μm CMOS工艺上的集成与优化

摘要	第1-4页
Abstract	第4-5页
引言	第5-6页
第一章 光电二极管的理论模型	第6-22页
·半导体材料的光吸收	第6页
·光电二极管工作原理	第6-9页
·光电二极管的量子效率	第9-14页
·设计考虑	第14-21页
·本章小结	第21-22页
第二章 搭建新流程准备与实验的设计	第22-25页
·原有0.35um CMOS工艺的介绍	第22页
·光电二极管的器件结构介绍	第22-24页
·实验的设计	第24-25页
第三章 光电二极管复杂结构工艺	第25-29页
·光电二极管的PN结工艺	第25-26页
·光电二极管的Ndiff与Pdiff工艺	第26-28页
·光电二极管的Block工艺	第28-29页
第四章 光电二极管设计规则的验证	第29-35页
·Pdiff到PDNWELL的间距	第29-31页
·PDNW overlap PDNdiff	第31-33页
·PDNWELL到PDNWELL的间距	第33-34页
·本章小结	第34-35页
第五章 产品器件电光特性的测试结果	第35-41页
·CMOS器件的电特性	第35-39页
·光学放电特性测试结果	第39-40页
·暗电流测试	第40-41页
第六章 简单结构工艺简化和改进	第41-51页
·流程的优化	第41-42页
·工艺简化后产品失效的分析和解决	第42-47页
·工艺的拉偏实验	第47-50页
·本章小结	第50-51页
第七章 全文总结	第51-52页
参考文献	第52-53页
致谢	第53-54页