单粒子脉宽抑制和单粒子测试方法研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第6-12页 |
| ·研究背景 | 第6-9页 |
| ·辐射效应综述 | 第6-8页 |
| ·单粒子效应机理 | 第8-9页 |
| ·研究现状 | 第9-11页 |
| ·单粒子机理的研究 | 第9-10页 |
| ·单粒子测试的研究 | 第10-11页 |
| ·本文工作 | 第11-12页 |
| 第2章 单粒子效应物理建模 | 第12-24页 |
| ·器件模拟原理 | 第12-17页 |
| ·器件模型 | 第12-13页 |
| ·离子轨迹模型 | 第13-15页 |
| ·模拟方法 | 第15-17页 |
| ·工艺校准 | 第17-23页 |
| ·工艺校准流程 | 第17-19页 |
| ·工艺校准结果 | 第19-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 单粒子脉宽抑制效应 | 第24-40页 |
| ·电荷收集机理 | 第24-29页 |
| ·电路级模型 | 第24-26页 |
| ·器件级模型 | 第26-28页 |
| ·电荷共享 | 第28-29页 |
| ·脉宽抑制机理 | 第29-32页 |
| ·NMOS-to-PMOS | 第29-30页 |
| ·PMOS-to-NMOS | 第30页 |
| ·NMOS-to-NMOS | 第30-31页 |
| ·PMOS-to-PMOS | 第31-32页 |
| ·脉宽抑制效应TCAD仿真 | 第32-38页 |
| ·仿真方法 | 第32-33页 |
| ·NMOS-to-PMOS | 第33-34页 |
| ·PMOS-to-NMOS | 第34-35页 |
| ·NMOS-to-NMOS | 第35-37页 |
| ·PMOS-to-PMOS | 第37-38页 |
| ·脉宽抑制的应用 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 单粒子效应测试方法 | 第40-58页 |
| ·引言 | 第40-42页 |
| ·静态测试 | 第42-52页 |
| ·测试方法 | 第42-43页 |
| ·系统设计 | 第43-46页 |
| ·测试流程 | 第46-48页 |
| ·数据处理 | 第48-52页 |
| ·动态测试 | 第52-57页 |
| ·加速器测试 | 第52-54页 |
| ·故障注入测试 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 总结和展望 | 第58-60页 |
| ·全文总结 | 第58页 |
| ·工作展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
