深亚微米工艺下的Memory建库技术研究
| 第一章 引言 | 第1-15页 |
| ·集成电路发展状况 | 第7-8页 |
| ·IP／单元库的设计和开发 | 第8-10页 |
| ·EDA软件发展的新要求 | 第10-11页 |
| ·本课题研究工作 | 第11-15页 |
| ·研究意义 | 第11-14页 |
| ·研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 Memory概况及分类 | 第15-27页 |
| ·Memory概况 | 第15-23页 |
| ·半导体存储器的主要指标和类型 | 第15-16页 |
| ·存储器的基本组成 | 第16-23页 |
| ·Memory分类及参数描述 | 第23-27页 |
| 第三章 测试电路构造 | 第27-35页 |
| ·采样点偏离现象及其分析 | 第27-30页 |
| ·采样点偏离现象的普遍性 | 第27-28页 |
| ·格点偏离现象的分析 | 第28-30页 |
| ·查表算法 | 第30-34页 |
| ·电压控制电压源的输入信号控制方法 | 第34-35页 |
| 第四章 逻辑参数激励波形生成 | 第35-47页 |
| ·组合电路逻辑激励波形生成 | 第35-42页 |
| ·D算法的基本概念 | 第35-40页 |
| ·D算法的描述和实现 | 第40-42页 |
| ·时序电路逻辑激励波形生成 | 第42-47页 |
| ·传输延迟时间参数激励生成 | 第43-45页 |
| ·约束时间参数激励生成 | 第45-47页 |
| 第五章 Memory电路模型与简化 | 第47-59页 |
| ·晶体管模型 | 第47-52页 |
| ·电路简化 | 第52-53页 |
| ·Memory电路简化 | 第53-59页 |
| 第六章 Memory时序参数提取 | 第59-72页 |
| ·传统单元时序模型 | 第59-63页 |
| ·晶体管延时模型 | 第60-61页 |
| ·门级延时模型 | 第61页 |
| ·模块级延时模型 | 第61-63页 |
| ·K_FACTOR方程 | 第63-66页 |
| ·时序参数描述及其提取方法 | 第66-72页 |
| ·时序参数描述 | 第66-69页 |
| ·时序参数提取方法 | 第69-72页 |
| 第七章 总结与展望 | 第72-75页 |
| ·总结 | 第72-73页 |
| ·展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
