| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·集成电路中ESD现象概述 | 第10-13页 |
| ·集成电路中ESD问题的解决途径 | 第13-16页 |
| ·避免ESD的措施 | 第13-14页 |
| ·片外(Off-Chip)ESD防护 | 第14-15页 |
| ·片上(On-Chip)ESD防护 | 第15-16页 |
| ·集成电路中ESD问题解决 | 第16页 |
| ·集成电路中ESD测试 | 第16-20页 |
| ·Zapmaster测试 | 第18页 |
| ·电子枪测试 | 第18-19页 |
| ·TLP测试 | 第19-20页 |
| ·片上ESD防护的国内外研究现状 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究工作 | 第21-22页 |
| 第二章 芯片级ESD防护单元研究 | 第22-70页 |
| ·基于SCR的ESD防护器件研究 | 第22-39页 |
| ·SCR的基本原理 | 第23-26页 |
| ·MLSCR的ESD防护性能研究 | 第26-33页 |
| ·LVTSCR的ESD防护性能研究 | 第33-36页 |
| ·高维持电压SCR的ESD防护性能研究 | 第36-39页 |
| ·基于SCR防护器件的性能小结 | 第39页 |
| ·外接辅助触发的ESD防护器件研究与测试验证 | 第39-49页 |
| ·RC辅助触发的ESD防护器件 | 第40-46页 |
| ·二极管辅助触发SCR(Diode Trigger SCR,DTSCR) | 第46-48页 |
| ·二级MOS管触发SCR(Two Stages MOS Trigger SCR,TMSCR) | 第48-49页 |
| ·创新结构-多晶硅栅辅助SCR防护器件研究与测试验证 | 第49-61页 |
| ·结构描述 | 第49-52页 |
| ·测试数据 | 第52-56页 |
| ·栅辅助原理 | 第56-60页 |
| ·器件性能小结 | 第60-61页 |
| ·创新结构-对称式SCR防护器件研究与测试验证 | 第61-67页 |
| ·结构描述 | 第61-63页 |
| ·测试数据和原理分析 | 第63-66页 |
| ·器件性能小结 | 第66-67页 |
| ·集成电路中ESD防护器件总结 | 第67页 |
| ·设计案例 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第三章 ESD防护的TCAD仿真 | 第70-89页 |
| ·工艺级仿真 | 第70-74页 |
| ·器件级仿真 | 第74-82页 |
| ·直流仿真 | 第74-75页 |
| ·瞬态仿真 | 第75-82页 |
| ·TCAD瞬态仿真实例 | 第82-88页 |
| ·矩形箱热源 | 第83-85页 |
| ·鲁棒系数 | 第85-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第四章 基本ESD防护器件的电路级建模 | 第89-105页 |
| ·GGNMOS的建模 | 第89-95页 |
| ·ggNMOS两次击穿的物理机理 | 第89-92页 |
| ·ggNMOS电路级宏模块建模 | 第92-94页 |
| ·Cadence环境中模型的仿真结果 | 第94-95页 |
| ·SCR的建模 | 第95-104页 |
| ·SCR电路级宏模块模型 | 第97-99页 |
| ·SCR电路级模型的参数提取 | 第99-100页 |
| ·电路宏模块的Verilog-A语言实现 | 第100-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 总结与展望 | 第105-109页 |
| 参考文献 | 第109-116页 |
| 后记 | 第116-117页 |
