| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-15页 |
| 1.2 空间辐射环境 | 第15-17页 |
| 1.3 电子器件重离子辐射效应 | 第17-21页 |
| 1.4 CMOS与非易失混合集成器件的辐射效应 | 第21-25页 |
| 1.4.1 CMOS与非易失混合集成器件简介 | 第21-22页 |
| 1.4.2 研究现状 | 第22-25页 |
| 1.4.3 存在问题 | 第25页 |
| 1.5 论文的研究内容和目标 | 第25-27页 |
| 第二章 重离子辐射效应试验与分析方法 | 第27-38页 |
| 2.1 重离子辐照试验方法 | 第27-32页 |
| 2.1.1 兰州重离子加速器装置 | 第27页 |
| 2.1.2 重离子辐射效应试验终端 | 第27-29页 |
| 2.1.3 辐照参数与试验条件的调节 | 第29-32页 |
| 2.2 重离子辐射效应检测与分析方法 | 第32-38页 |
| 2.2.1 电子器件辐射效应检测逻辑与实现 | 第32-35页 |
| 2.2.2 电子器件辐射效应的数据处理 | 第35-38页 |
| 第三章 SONOS工艺NVSRAM重离子辐射效应研究 | 第38-58页 |
| 3.1 本章引论 | 第38页 |
| 3.2 NVSRAM器件与实验方法 | 第38-42页 |
| 3.2.1 待测器件 | 第38-40页 |
| 3.2.2 辐射效应检测系统 | 第40-42页 |
| 3.2.3 实验参数 | 第42页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第42-57页 |
| 3.3.1 SRAM单元多位翻转效应分析 | 第43-45页 |
| 3.3.2 工作电压对SRAM单元单粒子翻转的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.3 温度对SRAM单元单粒子翻转的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.4 外围电路对SRAM单元单粒子翻转的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.5 CMOS电路的单粒子锁定与功能中断分析 | 第50页 |
| 3.3.6 SONOS单元辐射效应及其退火特性 | 第50-53页 |
| 3.3.7 NVSRAM空间应用讨论 | 第53-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 反熔丝工艺PROM重离子辐射效应研究 | 第58-71页 |
| 4.1 本章引论 | 第58页 |
| 4.2 PROM器件与实验方法 | 第58-62页 |
| 4.2.1 待测器件 | 第58-60页 |
| 4.2.2 辐射效应检测系统 | 第60-61页 |
| 4.2.3 实验参数 | 第61-62页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第62-70页 |
| 4.3.1 外围电路引起PROM器件的翻转特性分析 | 第62-64页 |
| 4.3.2 PROM器件反熔丝单元硬错误与机理分析 | 第64-65页 |
| 4.3.3 PROM器件抗辐射加固方案分析与讨论 | 第65-66页 |
| 4.3.4 基于PROM器件获取209Bi离子低LET值数据点的分析研究 | 第66-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 Flash工艺FPGA辐射效应重离子微束实验研究 | 第71-83页 |
| 5.1 本章引论 | 第71页 |
| 5.2 Flash工艺FPGA器件与微束实验方法 | 第71-77页 |
| 5.2.1 待测器件 | 第71-74页 |
| 5.2.2 辐射效应检测系统与测试方法 | 第74-76页 |
| 5.2.3 重离子微束实验参数 | 第76-77页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第77-82页 |
| 5.3.1 FPGA器件DFF链的翻转敏感区域成像分析 | 第77-78页 |
| 5.3.2 FPGA器件DFF链的物理排布反向分析 | 第78-81页 |
| 5.3.3 FPGA器件Flash开关单元的辐射效应分析 | 第81-82页 |
| 5.3.4 Flash型 FPGA空间应用与讨论 | 第82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 总结与展望 | 第83-87页 |
| 3.1 主要结论 | 第83-85页 |
| 3.2 研究展望 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-98页 |
| 在学期间的研究成果 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
