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基于CMOS与非易失混合集成器件的重离子辐射效应研究

中文摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第10-27页
    1.1 研究背景及意义第10-15页
    1.2 空间辐射环境第15-17页
    1.3 电子器件重离子辐射效应第17-21页
    1.4 CMOS与非易失混合集成器件的辐射效应第21-25页
        1.4.1 CMOS与非易失混合集成器件简介第21-22页
        1.4.2 研究现状第22-25页
        1.4.3 存在问题第25页
    1.5 论文的研究内容和目标第25-27页
第二章 重离子辐射效应试验与分析方法第27-38页
    2.1 重离子辐照试验方法第27-32页
        2.1.1 兰州重离子加速器装置第27页
        2.1.2 重离子辐射效应试验终端第27-29页
        2.1.3 辐照参数与试验条件的调节第29-32页
    2.2 重离子辐射效应检测与分析方法第32-38页
        2.2.1 电子器件辐射效应检测逻辑与实现第32-35页
        2.2.2 电子器件辐射效应的数据处理第35-38页
第三章 SONOS工艺NVSRAM重离子辐射效应研究第38-58页
    3.1 本章引论第38页
    3.2 NVSRAM器件与实验方法第38-42页
        3.2.1 待测器件第38-40页
        3.2.2 辐射效应检测系统第40-42页
        3.2.3 实验参数第42页
    3.3 实验结果与讨论第42-57页
        3.3.1 SRAM单元多位翻转效应分析第43-45页
        3.3.2 工作电压对SRAM单元单粒子翻转的影响第45-47页
        3.3.3 温度对SRAM单元单粒子翻转的影响第47-48页
        3.3.4 外围电路对SRAM单元单粒子翻转的影响第48-50页
        3.3.5 CMOS电路的单粒子锁定与功能中断分析第50页
        3.3.6 SONOS单元辐射效应及其退火特性第50-53页
        3.3.7 NVSRAM空间应用讨论第53-57页
    3.4 本章小结第57-58页
第四章 反熔丝工艺PROM重离子辐射效应研究第58-71页
    4.1 本章引论第58页
    4.2 PROM器件与实验方法第58-62页
        4.2.1 待测器件第58-60页
        4.2.2 辐射效应检测系统第60-61页
        4.2.3 实验参数第61-62页
    4.3 实验结果与讨论第62-70页
        4.3.1 外围电路引起PROM器件的翻转特性分析第62-64页
        4.3.2 PROM器件反熔丝单元硬错误与机理分析第64-65页
        4.3.3 PROM器件抗辐射加固方案分析与讨论第65-66页
        4.3.4 基于PROM器件获取209Bi离子低LET值数据点的分析研究第66-70页
    4.4 本章小结第70-71页
第五章 Flash工艺FPGA辐射效应重离子微束实验研究第71-83页
    5.1 本章引论第71页
    5.2 Flash工艺FPGA器件与微束实验方法第71-77页
        5.2.1 待测器件第71-74页
        5.2.2 辐射效应检测系统与测试方法第74-76页
        5.2.3 重离子微束实验参数第76-77页
    5.3 实验结果与讨论第77-82页
        5.3.1 FPGA器件DFF链的翻转敏感区域成像分析第77-78页
        5.3.2 FPGA器件DFF链的物理排布反向分析第78-81页
        5.3.3 FPGA器件Flash开关单元的辐射效应分析第81-82页
        5.3.4 Flash型 FPGA空间应用与讨论第82页
    5.4 本章小结第82-83页
第六章 总结与展望第83-87页
    3.1 主要结论第83-85页
    3.2 研究展望第85-87页
参考文献第87-98页
在学期间的研究成果第98-99页
致谢第99-100页

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