中文摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第12-37页 |
1.1 引言 | 第12-14页 |
1.2 宽光谱光探测器的研究进展 | 第14-24页 |
1.2.1 基于无机半导体的宽光谱光探测器 | 第14-16页 |
1.2.2 基于有机半导体的宽光谱光探测器 | 第16-20页 |
1.2.3 基于有机-无机杂化钙钛矿的宽光谱光探测器 | 第20-24页 |
1.3 本文的研究目的、内容及创新点 | 第24-27页 |
1.3.1 本文的研究目的 | 第24页 |
1.3.2 本文的研究内容 | 第24-25页 |
1.3.3 本文的创新点 | 第25-27页 |
参考文献 | 第27-37页 |
第二章 宽光谱光探测器的结构原理、活性材料、制备方法和基本理论 | 第37-56页 |
2.1 宽光谱光探测器的分类和器件结构 | 第37-43页 |
2.1.1 光敏场效应管 | 第37-40页 |
2.1.2 光敏二极管 | 第40-43页 |
2.1.3 光电导探测器 | 第43页 |
2.2 宽光谱光探测器的活性材料 | 第43-47页 |
2.2.1 有机半导体活性材料 | 第44-45页 |
2.2.2 有机-无机杂化钙钛矿活性材料 | 第45-47页 |
2.3 宽光谱光探测器的制备方法 | 第47-49页 |
2.3.1 真空热蒸镀法 | 第47-48页 |
2.3.2 溶液旋涂法 | 第48-49页 |
2.4 光探测器的基本理论 | 第49-52页 |
2.4.1 光敏场效应管工作模式 | 第49-50页 |
2.4.2 光敏二极管光电流限制机制 | 第50-51页 |
2.4.3 光电导增益机制 | 第51-52页 |
2.5 本章小结 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-56页 |
第三章 全有机活性层协同实现宽光谱光敏场效应管 | 第56-83页 |
3.1 研究背景 | 第56-58页 |
3.2 实验内容 | 第58-61页 |
3.2.1 材料 | 第58页 |
3.2.2 光敏场效应管制备 | 第58-60页 |
3.2.3 测量与表征 | 第60-61页 |
3.3 结果与讨论 | 第61-78页 |
3.3.1 有机活性层的吸收特性 | 第61-62页 |
3.3.2 沟道层的形貌和结晶性 | 第62-65页 |
3.3.3 光敏场效应管的暗态特性 | 第65-67页 |
3.3.4 光敏场效应管的光敏特性 | 第67-77页 |
3.3.5 器件工作机制和结构优化解释 | 第77-78页 |
3.4 本章小结 | 第78-80页 |
参考文献 | 第80-83页 |
第四章 聚合物修饰钙钛矿构筑垂直结构宽光谱光敏二极管 | 第83-111页 |
4.1 研究背景 | 第83-85页 |
4.2 实验内容 | 第85-88页 |
4.2.1 材料 | 第85-86页 |
4.2.2 光敏二极管制备 | 第86-87页 |
4.2.3 测量与表征 | 第87-88页 |
4.3 结果与讨论 | 第88-105页 |
4.3.1 光敏层的吸收特性 | 第88-90页 |
4.3.2 PVP修饰的钙钛矿薄膜形貌特征和晶体结构 | 第90-94页 |
4.3.3 光敏二极管的暗态特性 | 第94-95页 |
4.3.4 光敏二极管的光敏特性 | 第95-104页 |
4.3.5 器件能级机理解释 | 第104-105页 |
4.4 本章小结 | 第105-106页 |
参考文献 | 第106-111页 |
第五章 钙钛矿/酞菁锡横向结构高灵敏宽光谱光电导探测器 | 第111-137页 |
5.1 研究背景 | 第111-113页 |
5.2 实验内容 | 第113-116页 |
5.2.1 材料 | 第113页 |
5.2.2 光电导探测器制备 | 第113-115页 |
5.2.3 测量与表征 | 第115-116页 |
5.3 结果与讨论 | 第116-133页 |
5.3.1 光敏层的吸收特性 | 第116-117页 |
5.3.2 器件结构优化 | 第117-118页 |
5.3.3 活性层形貌与晶体结构 | 第118-121页 |
5.3.4 光电导探测器的暗态特性 | 第121-122页 |
5.3.5 光电导探测器的光敏特性 | 第122-132页 |
5.3.6 器件的稳定性、均一性和可重复性 | 第132-133页 |
5.4 本章小结 | 第133-134页 |
参考文献 | 第134-137页 |
第六章 结论与展望 | 第137-140页 |
6.1 主要结论 | 第137-138页 |
6.2 研究展望 | 第138-140页 |
附录A 缩写词列表 | 第140-144页 |
附录B 物理量符号列表 | 第144-146页 |
在学期间的研究成果 | 第146-148页 |
致谢 | 第148页 |