| 致谢 | 第8-9页 |
| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第16-19页 |
| 1.2 集成电路老化效应的相关知识 | 第19-21页 |
| 1.2.1 NBTI的老化影响 | 第19-20页 |
| 1.2.2 HCI的老化影响 | 第20页 |
| 1.2.3 TDDB的老化影响 | 第20-21页 |
| 1.2.4 EM的老化影响 | 第21页 |
| 1.3 针对NBTI效应的国内外研究现状 | 第21-23页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第21-22页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第22-23页 |
| 1.4 课题内容 | 第23-24页 |
| 1.4.1 课题来源 | 第23页 |
| 1.4.2 论文主要内容 | 第23-24页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第24-26页 |
| 第二章 研究工作基础 | 第26-36页 |
| 2.1 NBTI效应原理 | 第26-28页 |
| 2.2 NBTI效应建模 | 第28-32页 |
| 2.2.1 静态NBTI老化预测模型 | 第28-29页 |
| 2.2.2 动态NBTI老化预测模型 | 第29-31页 |
| 2.2.3. 长时NBTI老化预测模型 | 第31-32页 |
| 2.3 仿真工具介绍 | 第32-35页 |
| 2.3.1 HSPICE模拟器 | 第32-33页 |
| 2.3.2 Design Compiler综合工具 | 第33-34页 |
| 2.3.3 Visual C++开发工具 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 集成电路老化的预测与防护技术 | 第36-47页 |
| 3.1 基于传感器的老化预测技术 | 第36-39页 |
| 3.2 基于输入向量控制的老化防护技术 | 第39-41页 |
| 3.3 基于门替换的老化防护技术 | 第41-45页 |
| 3.4 基于传输门的老化防护技术 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 基于门优先的抗老化关键门定位方法 | 第47-58页 |
| 4.1 研究动机与设计流程实现 | 第47-49页 |
| 4.2 NBTI静态时序分析 | 第49-50页 |
| 4.3 考虑RAS的NBTI老化模型 | 第50-52页 |
| 4.4 基于门优先的抗老化关键门定位方法 | 第52-54页 |
| 4.5 实验结果与分析 | 第54-57页 |
| 4.5.1 实验环境设置 | 第54-55页 |
| 4.5.2 结果与分析 | 第55-57页 |
| 4.6 本章小节 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第58-59页 |
| 5.2 研究工作展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第63-64页 |