| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 半导体封装技术的发展史和现状 | 第7-10页 |
| 1.1.1 半导体封装技术的发展史 | 第7-9页 |
| 1.1.2 国内外半导体封装技术的现状 | 第9-10页 |
| 1.2 大功率封装的技术与种类 | 第10-12页 |
| 1.2.1 封装技术的必要性 | 第10-11页 |
| 1.2.2 大功率封装种类 | 第11-12页 |
| 1.3 大功率封装简介及主要技术 | 第12-14页 |
| 1.3.1 从DIP封装到HSOP封装 | 第12页 |
| 1.3.2 Power QFN:新一代的封装技术 | 第12-14页 |
| 1.4 课题的提出与主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 POWER QFN工艺过程 | 第15-22页 |
| 2.1 POWER QFN的基本结构 | 第15-16页 |
| 2.2 POWER QFN封装的技术难点 | 第16页 |
| 2.3 POWER QFN工艺流程设计 | 第16-21页 |
| 2.3.1 固晶工艺 | 第17-19页 |
| 2.3.2 金线键合工艺 | 第19-20页 |
| 2.3.3 塑封工艺 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 POWER QFN封装材料的选择 | 第22-28页 |
| 3.1 POWER QFN封装材料 | 第22页 |
| 3.2 焊锡膏的选择 | 第22-24页 |
| 3.3 塑封胶的选择 | 第24-26页 |
| 3.4 金线的选择 | 第26-27页 |
| 3.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 POWER QFN封装工艺参数优化和可靠性测试 | 第28-43页 |
| 4.1 POWER QFN的工艺参数存在的问题 | 第28页 |
| 4.2 回流焊工艺优化试验设计 | 第28-34页 |
| 4.2.1 回流焊工艺优化实施 | 第29-30页 |
| 4.2.2 回流焊工艺优化结果分析 | 第30-34页 |
| 4.3 金线键合工艺优化试验设计 | 第34-37页 |
| 4.3.1 金线键合工艺优化结果分析 | 第35-37页 |
| 4.4 可靠性试验计划 | 第37-38页 |
| 4.5 试验结果及分析 | 第38-42页 |
| 4.5.1 测试电流量(IDD)原理 | 第38-39页 |
| 4.5.2 测试(IDD)结果及分析 | 第39页 |
| 4.5.3 无损探伤结果及分析 | 第39-40页 |
| 4.5.4 分层结果及分析 | 第40-42页 |
| 4.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 大功率平面无管角封装开发中发现的几个关键问题 | 第43-46页 |
| 5.1 芯片表面钝化层及下面电路的损坏 | 第43页 |
| 5.2 超声检测时发现的封装缺陷 | 第43-44页 |
| 5.3 冷热循环老化试验后分层 | 第44-45页 |
| 5.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第46-48页 |
| 6.1 结论 | 第46页 |
| 6.2 展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第50-51页 |
| 附表 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53页 |