| 中文摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| 1.1 导体产业的发展 | 第6-7页 |
| 1.2 半导体技术的发展 | 第7-8页 |
| 1.3 半导体制造的技术 | 第8-11页 |
| 1.4 半导体制造技术的发展趋势 | 第11-12页 |
| 1.5 课题的研究背景和研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 钛在集成电路中的应用及TiSi_2的应用及发展 | 第14-18页 |
| 2.1 钛在半导体中的应用 | 第14-16页 |
| 2.2 TiSi_2的应用与发展 | 第16-18页 |
| 第三章 TiSi_2工艺的介绍 | 第18-24页 |
| 3.1 磁控溅射镀膜下Ti的生长 | 第18-22页 |
| 3.1.1 Fab中的磁控溅射设备及其简单原理 | 第18-20页 |
| 3.1.2 TiSi_2形成中Ti的生长 | 第20-22页 |
| 3.2 TiSi_2的两种相变 | 第22-23页 |
| 3.3 评估工艺好坏的主要参数 | 第23-24页 |
| 第四章 维持IC生产中TiSi_2工艺的稳定性 | 第24-37页 |
| 4.1 降低杂质颗粒缺陷 | 第24-26页 |
| 4.2 维持晶圆端测试TiSi_2电性的稳定性 | 第26-37页 |
| 4.2.1 Ti腔体产品沉积前的Burn In程式对TiSi_2电性的影响 | 第27-29页 |
| 4.2.2 Ti腔体被通气到大气压后对TiSi_2电性的影响 | 第29-31页 |
| 4.2.3 Ti沉积机台公共路径的维护对TiSi_2电性的影响 | 第31-34页 |
| 4.2.4 晶圆表面硅的界面氧化对TiSi_2电性的影响 | 第34-37页 |
| 第五章结论 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 致谢 | 第40页 |
