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化学机械抛光中流体压力和摩擦特性研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-26页
    1.1 课题背景第9-16页
        1.1.1 集成电路概述第9-12页
        1.1.2 CMP技术简介第12-13页
        1.1.3 CMP在集成电路制造中的应用第13-15页
        1.1.4 CMP过程数值模拟的重要性第15-16页
    1.2 CMP过程流体压力及摩擦特性国内外研究现状第16-24页
        1.2.1 CMP过程流体压力第16-22页
        1.2.2 CMP过程摩擦特性第22-24页
    1.3 课题研究目的和意义第24-25页
    1.4 论文主要研究工作第25-26页
2 CMP过程数值模型第26-41页
    2.1 混合软弹流润滑理论模型第26-37页
        2.1.1 理论模型的建立第26-30页
        2.1.2 参数输入输出及模拟流程第30-32页
        2.1.3 抛光垫模型第32-34页
        2.1.4 不同抛光垫模型模拟结果第34-36页
        2.1.5 流体压力的产生过程第36-37页
    2.2 CMP数值模拟软件框架的搭建第37-40页
        2.2.1 数值模拟软件的总体开发思路第37-38页
        2.2.2 软件框架搭建过程第38-40页
    2.3 本章小结第40-41页
3 输入参数对CMP过程的影响第41-64页
    3.1 晶圆面形对CMP过程的影响第41-47页
        3.1.1 晶圆面形参数的输入第41-42页
        3.1.2 模拟结果与讨论第42-47页
    3.2 保持环对CMP过程的影响第47-55页
        3.2.1 保持环简介第47-50页
        3.2.2 带保持环的CMP过程数值模拟第50-51页
        3.2.3 模拟结果与讨论第51-55页
    3.3 工艺参数对CMP过程的影响第55-62页
        3.3.1 抛光压力第55-57页
        3.3.2 流体粘度第57-59页
        3.3.3 球铰高度第59-61页
        3.3.4 相对速度第61-62页
    3.4 本章小结第62-64页
4 CMP过程摩擦特性研究第64-73页
    4.1 CMP过程摩擦力测量实验第64-69页
        4.1.1 干抛光垫CMP过程摩擦特性第65-66页
        4.1.2 水润滑CMP过程摩擦特性第66-67页
        4.1.3 低速CMP过程摩擦特性第67-69页
    4.2 单微凸体接触润滑行为研究第69-71页
    4.3 本章小结第71-73页
结论第73-74页
参考文献第74-77页
附录A 式(2.24)中元素的详细表达第77-78页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第78-79页
致谢第79-80页

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