| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第11-24页 |
| 1.1 Kelvin探针简介 | 第11-14页 |
| 1.1.1 费米能级，功函数 | 第11-14页 |
| 1.1.2 Kelvin探针的发展与现状 | 第14页 |
| 1.2 量子点发光显示器件 | 第14-17页 |
| 1.2.1 量子点的概念与性质 | 第14页 |
| 1.2.2 量子点的合成方法 | 第14-15页 |
| 1.2.3 量子点发光显示器件的原理 | 第15-17页 |
| 1.3 无机电荷输运层材料研究进展 | 第17-22页 |
| 1.3.1 二氧化钛作为电子传输层相关研究 | 第17-18页 |
| 1.3.2 氧化锌作为电子传输层相关研究 | 第18-21页 |
| 1.3.3 无机空穴注入层氧化镍(HIL)相关研究 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文研究主要内容与意义 | 第22-24页 |
| 1.4.1 论文课题主要内容 | 第22-23页 |
| 1.4.2 论文课题研究意义 | 第23-24页 |
| 第二章 利用Kelvin探针研究材料的表面功函与光电性质 | 第24-38页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-32页 |
| 2.2.1 实验药品试剂 | 第24-25页 |
| 2.2.2 实验测试仪器 | 第25页 |
| 2.2.3 纳米ZnO的合成与表征 | 第25-26页 |
| 2.2.4 纳米Zn_(1-x)Mg_xO的合成与表征 | 第26-30页 |
| 2.2.5 纳米NiO的合成与表征 | 第30-32页 |
| 2.3 利用Kelvin探针探究表面处理对ITO功函的影响以及Zn_(1-x)Mg_xO表面光电压特性 | 第32-37页 |
| 2.3.1 不同紫外臭氧处理时间对ITO功函的影响 | 第33页 |
| 2.3.2 酸碱处理对ITO功函的影响 | 第33-34页 |
| 2.3.3 纳米Zn_(1-x)Mg_xO薄膜表面光电压特性 | 第34-35页 |
| 2.3.4 纳米NiO薄膜的表面功函与光电特性 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 无机纳米材料作为电荷输运层对QLED性能的影响 | 第38-50页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 实验部分 | 第38-40页 |
| 3.2.1 实验药品试剂 | 第38-39页 |
| 3.2.2 实验测试仪器 | 第39页 |
| 3.2.3 CdSe/ZnS核壳量子点的制备 | 第39页 |
| 3.2.4 纳米Zn_(1-x)Mg_xO作为电子输运层构筑QLED器件 | 第39-40页 |
| 3.2.5 纳米NiO作为空穴注入层构筑QLED器件 | 第40页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第40-49页 |
| 3.3.1 CdSe/ZnS核壳量子点的测试与表征 | 第40-42页 |
| 3.3.2 纳米Zn_(1-x)Mg_xO作为电子传输层对QLED器件性能分析 | 第42-45页 |
| 3.3.3 纳米NiO作为空穴输运层对QLED器件性能分析 | 第45-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-61页 |
| 总结与展望 | 第61-62页 |
| 硕士期间完成的工作 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
