| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 缩略词 | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第12-16页 |
| 1.1.1 芯片封装集成技术概述 | 第13-14页 |
| 1.1.2 芯片封装中的电磁兼容问题 | 第14-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 主要拟解决问题及研究创新 | 第17-19页 |
| 1.4 章节安排 | 第19-20页 |
| 第2章 EMI辐射问题的基本原理 | 第20-27页 |
| 2.1 芯片封装中EMI的耦合路径 | 第20-22页 |
| 2.1.1 传导耦合 | 第20页 |
| 2.1.2 电场耦合 | 第20-21页 |
| 2.1.3 磁场耦合 | 第21页 |
| 2.1.4 辐射场耦合 | 第21-22页 |
| 2.2 共模EMI辐射基本原理 | 第22-26页 |
| 2.2.1 差分线基本结构与原理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 差分和共模电流的基本辐射模型 | 第24-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 基于蘑菇状EBG结构的新型封装Lid设计 | 第27-57页 |
| 3.1 矩形波导谐振腔理论 | 第28-31页 |
| 3.2 使用EBG结构设计新型封装Lid的基本原理 | 第31-33页 |
| 3.3 研究EBG有效频段研究的基本方法 | 第33-35页 |
| 3.3.1 色散模式法 | 第33-34页 |
| 3.3.2 波导传输法 | 第34-35页 |
| 3.3.3 Floquet端口法 | 第35页 |
| 3.4 带有蘑菇状EBG结构的新型封装Lid | 第35-47页 |
| 3.4.1 封装模型及封装Lid/介绍 | 第35-38页 |
| 3.4.2 带有蘑菇状EBG结构的封装Lid | 第38-42页 |
| 3.4.3 等效电路建模 | 第42-46页 |
| 3.4.4 带有蘑菇状EBG结构的新型散热器 | 第46-47页 |
| 3.5 实验测试与验证 | 第47-55页 |
| 3.5.1 EMI辐射测试简介 | 第47-50页 |
| 3.5.2 测试结果及分析 | 第50-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 针对WB-BGA封装的EMI辐射风险项研究 | 第57-79页 |
| 4.1 仿真模型介绍 | 第57-58页 |
| 4.2 WB-BGA封装中EMI辐射风险项研究 | 第58-64页 |
| 4.2.1 封装Lid | 第58-63页 |
| 4.2.2 键合线及顶层差分走线 | 第63页 |
| 4.2.3 过孔 | 第63-64页 |
| 4.3 EMI辐射抑制方案 | 第64-78页 |
| 4.3.1 基于缝隙波导理论的新型封装Lid/散热器设计 | 第65-73页 |
| 4.3.2 阻性过孔 | 第73-74页 |
| 4.3.3 封装Lid接地及其改进 | 第74-78页 |
| 4.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第5章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 5.1 工作总结 | 第79-80页 |
| 5.2 工作展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |
| 个人简介 | 第86-87页 |
| 主要工作及研究成果 | 第87页 |
