新型硅通孔寄生参数提取与等效电路建立
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第16-17页 |
| 1.2 三维集成的优势 | 第17-19页 |
| 1.3 三维集成的挑战 | 第19-20页 |
| 1.4 本文的研究内容与安排 | 第20-22页 |
| 第二章 TSV三维集成工艺技术 | 第22-34页 |
| 2.1 三维集成制造工艺分类 | 第22-29页 |
| 2.1.1 TSV工艺制造顺序 | 第23-25页 |
| 2.1.2 三维集成堆叠方式 | 第25-27页 |
| 2.1.3 三维集成键合方式 | 第27-29页 |
| 2.2 TSV工艺技术 | 第29-33页 |
| 2.2.1 TSV深孔刻蚀 | 第30-31页 |
| 2.2.2 深孔淀积绝缘层 | 第31-32页 |
| 2.2.3 淀积阻挡层与种子层 | 第32页 |
| 2.2.4 导电材料填充 | 第32-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 锥环形TSV寄生参数提取 | 第34-50页 |
| 3.1 锥环形TSV模型建立 | 第34-35页 |
| 3.2 寄生参数提取 | 第35-44页 |
| 3.2.1 寄生电阻 | 第35-37页 |
| 3.2.2 寄生电感 | 第37-41页 |
| 3.2.3 寄生电容 | 第41-44页 |
| 3.3 等效电路的建立与仿真 | 第44-48页 |
| 3.3.1 等效电路 | 第45-48页 |
| 3.3.2 仿真结果与对比 | 第48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 锥环形TSV传输特性研究 | 第50-64页 |
| 4.1 锥环形TSV基本结构 | 第50-51页 |
| 4.2 锥环形TSV结构参数对传输特性的影响 | 第51-61页 |
| 4.2.1 间距的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.2 高度的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.3 最外环SiO2半径的影响 | 第53-55页 |
| 4.2.4 金属厚度的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.5 氧化层SiO2厚度的影响 | 第56-58页 |
| 4.2.6 侧壁倾角的影响 | 第58-59页 |
| 4.2.7 衬底电导率的影响 | 第59-61页 |
| 4.3 锥环形TSV结构参数优化 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 新型TSV结构研究 | 第64-72页 |
| 5.1 空气隙的锥环形TSV | 第64-65页 |
| 5.2 锥形同轴TSV | 第65-67页 |
| 5.3 锥形同轴TSV结构参数对传输特性的影响 | 第67-71页 |
| 5.3.1 介质材料的影响 | 第67-68页 |
| 5.3.2 金属导体内外半径的影响 | 第68-70页 |
| 5.3.3 高度的影响 | 第70-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-76页 |
| 6.1 工作总结 | 第72-73页 |
| 6.2 工作展望 | 第73-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
