垂直硅通孔信号通道的传输特性与阻抗匹配研究
摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
符号对照表 | 第11-13页 |
缩略语对照表 | 第13-17页 |
第一章 绪论 | 第17-23页 |
1.1 三维集成电路研究背景与意义 | 第17-20页 |
1.1.1 三维集成技术 | 第18-19页 |
1.1.2 三维集成中的硅通孔垂直互连技术 | 第19-20页 |
1.2 TSV互连技术的挑战与研究现状 | 第20-22页 |
1.2.1 等效电路建立 | 第20-21页 |
1.2.2 信号完整性问题 | 第21-22页 |
1.3 本文研究工作和结构安排 | 第22-23页 |
第二章 TSV信号通道的模型结构与仿真分析方法 | 第23-33页 |
2.1 TSV的制备工艺与关键技术 | 第23-27页 |
2.1.1 TSV制备的工艺顺序 | 第23-25页 |
2.1.2 TSV制备的堆叠方向 | 第25-26页 |
2.1.3 TSV制备的键合方式 | 第26-27页 |
2.2 基于中通孔工艺的TSV信号通道 | 第27-29页 |
2.2.1 制备流程 | 第28页 |
2.2.2 结构介绍 | 第28-29页 |
2.3 TSV信号通道的传输特性仿真分析方法 | 第29-32页 |
2.3.1 仿真软件介绍 | 第29-30页 |
2.3.2 TSV信号通道的仿真模型 | 第30-31页 |
2.3.3 时域暂态仿真分析 | 第31页 |
2.3.4 频域S参数仿真分析 | 第31-32页 |
2.4 本章小结 | 第32-33页 |
第三章 TSV信号通道的电学特性建模 | 第33-47页 |
3.1 包含Bump的TSV的寄生参数提取 | 第33-42页 |
3.1.1 TSV电阻的提取 | 第34-36页 |
3.1.2 TSV电感的提取 | 第36-38页 |
3.1.3 TSV衬底电容与电导的提取 | 第38-40页 |
3.1.4 TSV氧化层MOS电容 | 第40-41页 |
3.1.5 IMD电容与Bump电容 | 第41-42页 |
3.2 RDL层的寄生参数提取 | 第42-46页 |
3.2.1 RDL电阻的提取 | 第43页 |
3.2.2 RDL电感的提取 | 第43-44页 |
3.2.3 RDL的寄生电容与电导 | 第44-46页 |
3.3 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 TSV信号通道的特征阻抗 | 第47-59页 |
4.1 TSV信号通道等效电路的研究 | 第47-52页 |
4.1.1 TSV与RDL的集总元件等效电路 | 第48-49页 |
4.1.2 RDL的集总模型时域仿真 | 第49-50页 |
4.1.3 TSV信号通道的等效电路 | 第50-52页 |
4.2 特征阻抗的计算 | 第52-54页 |
4.2.1 包含Bump的TSV特征阻抗 | 第52-54页 |
4.2.2 RDL的特征阻抗 | 第54页 |
4.3 TSV信号通道中的信号反射 | 第54-57页 |
4.3.1 使用RDL的集总模型分析 | 第55-56页 |
4.3.2 使用RDL的传输线模型 | 第56-57页 |
4.4 本章小结 | 第57-59页 |
第五章 TSV信号通道的阻抗匹配 | 第59-73页 |
5.1 调整TSV的几何尺寸 | 第59-61页 |
5.1.1 特征阻抗的变化规律 | 第59-60页 |
5.1.2 结果验证 | 第60-61页 |
5.2 加入L网络集总元件 | 第61-64页 |
5.2.1 L网络电抗元件的计算 | 第62-63页 |
5.2.2 结果验证 | 第63-64页 |
5.3 使用渐变传输线 | 第64-69页 |
5.3.1 多节阻抗变换器 | 第65-66页 |
5.3.2 渐变传输线的选择 | 第66-67页 |
5.3.3 渐变传输线的设计 | 第67-68页 |
5.3.4 结果验证 | 第68-69页 |
5.4 阻抗匹配的整体方案 | 第69-72页 |
5.4.1 阻抗匹配方案适用范围 | 第69-70页 |
5.4.2 阻抗匹配方案的选择原则 | 第70-72页 |
5.5 本章小结 | 第72-73页 |
第六章 总结与展望 | 第73-75页 |
6.1 工作总结 | 第73页 |
6.2 工作展望 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
致谢 | 第79-81页 |
作者简介 | 第81-82页 |