| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第7-10页 |
| 1.1 课题提出的背景和可行性分析 | 第7-8页 |
| 1.2 研究的基本目标 | 第8-9页 |
| 1.3 论文的组织结构 | 第9-10页 |
| 第二章 光互连系统及硅基光电子学进展 | 第10-22页 |
| 2.1 光互连系统概述 | 第10-15页 |
| 2.2 硅基发光二极管 | 第15-20页 |
| 2.2.1 掺入稀土元素发光 | 第15-16页 |
| 2.2.2 多孔硅发光 | 第16-17页 |
| 2.2.3 位错环发光 | 第17-19页 |
| 2.2.4 PERL 太阳能电池型发光二极管 | 第19-20页 |
| 2.3 和CMOS 工艺兼容的光波导 | 第20-22页 |
| 第三章 PIN 型光电互连系统 | 第22-30页 |
| 3.1 光源和探测器的可逆性原理 | 第22-24页 |
| 3.2 实验 | 第24-29页 |
| 3.2.1 55971 光电探测器的光互连系统 | 第24-27页 |
| 3.2.2 单片集成pin 型光互连系统 | 第27-29页 |
| 3.3 结论 | 第29-30页 |
| 第四章 硅基发光器件的理论模型 | 第30-40页 |
| 4.1 速率方程模型 | 第31-32页 |
| 4.2 确定参数的方法 | 第32-34页 |
| 4.3 特性分析和参数的验证 | 第34-36页 |
| 4.4 hspice 建模方法 | 第36-39页 |
| 4.5 结论 | 第39-40页 |
| 第五章 使用标准CMOS 工艺实现的光电互连系统 | 第40-44页 |
| 5.1 正八边形交错环硅基CMOS 发光器件 | 第40-42页 |
| 5.2 叉指型硅基CMOS 发光器件 | 第42-44页 |
| 第六章 280dB 带宽增益积的新型高速超低噪声CMOS 光电接收机结构 | 第44-64页 |
| 6.1 高性能跨阻放大器的设计 | 第44-53页 |
| 6.1.1 常规TIA 放大器的主要缺点和不足 | 第44-45页 |
| 6.1.2 负反馈放大器的设计方法 | 第45-50页 |
| 6.1.3 低频反馈、高频开环的新结构 | 第50-53页 |
| 6.2 输入电流运算放大器的设计 | 第53-54页 |
| 6.3 提高电路的噪声特性 | 第54-59页 |
| 6.3.1 噪声相消原理 | 第54-56页 |
| 6.3.2 高频开环对提高噪声特性的影响 | 第56-57页 |
| 6.3.3 提高带隙基准源的电源抑制比 | 第57-59页 |
| 6.4 仿真测试结果 | 第59-64页 |
| 第七章 总体单片CMOS 光电集成芯片 | 第64-68页 |
| 7.1 跨阻和跨导放大器电路 | 第64-65页 |
| 7.2 硅基光源的设计 | 第65页 |
| 7.3 硅基光波导 | 第65-66页 |
| 7.4 硅基光电探测器的设计 | 第66-67页 |
| 7.5 完整的硅基光电集成芯片 | 第67-68页 |
| 第八章 总结和展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 参加科研情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |