| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章：集成电路中金属硅化物的发展 | 第8-16页 |
| 1.1 钛硅化物TiSi_2 | 第8-9页 |
| 1.2 钴硅化物CoSi_2 | 第9-10页 |
| 1.3 镍硅化物NiSi | 第10-16页 |
| 第二章：SiCoNi的预清洗工艺 | 第16-27页 |
| 2.1 SiCoNi预清洗过程简介 | 第16-18页 |
| 2.2 SiCoNi预清洗与传统清洗方法(BHF clean)的比较 | 第18-27页 |
| 2.2.1 SiCoNi预清洗对方块电阻的影响 | 第19-21页 |
| 2.2.2 SiCoNi预清洗对漏电流的影响 | 第21-23页 |
| 2.2.3 SiCoNi预清洗对随机缺陷率的良率的影响 | 第23-27页 |
| 第三章：镍铂合金的物理气相沉积 | 第27-43页 |
| 3.1 镍硅化物沉积的工艺过程 | 第27-29页 |
| 3.2 镍铂合金应用的优势 | 第29-33页 |
| 3.2.1 掺金属铂能提高热稳定性 | 第29-30页 |
| 3.2.2 掺铂能有效减少表面氧化物生成 | 第30-31页 |
| 3.2.3 掺铂能降低接触电阻 | 第31-32页 |
| 3.2.4 掺铂能降低PMOS的漏电流 | 第32-33页 |
| 3.3 镍铂合金中铂金属含量对CMOS的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.1 铂金含量对随机缺陷的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.2 铂金含量对Salicide电阻的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.3 铂金含量对晶体管器件性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 镍铂合金的厚度对CMOS的影响 | 第37-43页 |
| 3.4.1 镍铂合金的厚度对Salicide电阻的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.2 镍铂合金的厚度对接触孔与栅短路失效时的良率的影响 | 第38-40页 |
| 3.4.3 镍铂合金的厚度对接触孔电阻的影响 | 第40-43页 |
| 第四章：快速热退火和硅化镍剥离的工艺控制 | 第43-64页 |
| 4.1 快速热退火工艺(RTA)的介绍 | 第43-47页 |
| 4.2 热退火对器件的影响 | 第47-56页 |
| 4.2.1 RTA温度对随机缺陷率的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.2 RTA温度对接触孔与栅短路(CA To PC Short)的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.3 RTA温度对Salicide电阻值的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.4 RTA温度对器件漏电的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.5 第一次RTA时间对于Salicide电阻的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.6 第一次RTA时间对接触孔与栅短路(CA To PC Short)的影响 | 第53-54页 |
| 4.2.7 第二次RTA对于电阻的影响 | 第54-56页 |
| 4.3 硅化镍剥离工艺(NiSi Strip)的介绍 | 第56-57页 |
| 4.4 硅化镍剥离工艺对器件的影响 | 第57-64页 |
| 4.4.1 调整硅化镍剥离工艺步骤对于芯片良率的影响 | 第57-59页 |
| 4.4.2 在第二次RTA后增加清洗步骤的研究 | 第59-64页 |
| 第五章：结论与展望 | 第64-68页 |
| 5.1 SiCoNi预清洗 | 第64页 |
| 5.2 金属镍的沉积 | 第64-65页 |
| 5.3 快速热退火 | 第65-66页 |
| 5.4 湿法刻蚀：金属镍的剥离(NiSi Strip) | 第66页 |
| 5.5 展望20nm及以下技术节点 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 后记 | 第70-71页 |
