基于二元金属氧化物的阻变存储器研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·非易失性存储器的发展 | 第11-18页 |
| ·闪存(Flash) | 第12-13页 |
| ·分立电荷存储器 | 第13-14页 |
| ·铁电存储器 | 第14-15页 |
| ·磁性存储器 | 第15-16页 |
| ·相变存储器 | 第16-17页 |
| ·阻变存储器 | 第17-18页 |
| ·存储器在空间中的应用 | 第18-19页 |
| ·选题意义和研究内容 | 第19-20页 |
| ·论文的组织结构 | 第20-21页 |
| 第一章 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 阻变存储器概述 | 第25-45页 |
| ·阻变存储器概述 | 第25-26页 |
| ·阻变存储器的材料 | 第26-30页 |
| ·PCMO复杂氧化物 | 第26-27页 |
| ·三元钙态矿氧化物 | 第27-28页 |
| ·有机材料 | 第28页 |
| ·固态电解质材料 | 第28-30页 |
| ·二元金属氧化物 | 第30页 |
| ·电阻转变机理 | 第30-36页 |
| ·缺陷能级电荷充放电 | 第31页 |
| ·空间电荷限制电流效应(SCLC) | 第31-33页 |
| ·肖特基发射效应 | 第33-34页 |
| ·细丝机制 | 第34-36页 |
| ·阻变存储器电学参数 | 第36-37页 |
| ·操作电压 | 第36页 |
| ·操作电流 | 第36页 |
| ·电阻状态 | 第36页 |
| ·耐受性 | 第36-37页 |
| ·保持力 | 第37页 |
| ·操作速度 | 第37页 |
| ·多值存储 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第二章 参考文献 | 第38-45页 |
| 第三章 基于二元金属氧化物的阻变存储器 | 第45-65页 |
| ·Cu/HfO_2：Cu/Pt器件 | 第45-57页 |
| ·实验 | 第45-47页 |
| ·电学特性 | 第47-49页 |
| ·转变机理 | 第49-51页 |
| ·多值存储 | 第51-54页 |
| ·适应温度 | 第54-55页 |
| ·不同氧化层厚度的器件 | 第55-57页 |
| ·Cu/HfO_2/Pt器件 | 第57-59页 |
| ·实验 | 第57页 |
| ·结果与分析 | 第57-59页 |
| ·Cu/SiO_2：Cu/Pt器件 | 第59-61页 |
| ·实验 | 第59-60页 |
| ·结果与分析 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第三章 参考文献 | 第63-65页 |
| 第四章 空间辐照对电子器件的影响 | 第65-83页 |
| ·空间辐射环境概况 | 第65-66页 |
| ·辐照对电子器件的影响 | 第66-70页 |
| ·电离总剂量效应 | 第66-69页 |
| ·单粒子事件效应 | 第69-70页 |
| ·非易失性存储器的抗辐照特性 | 第70-77页 |
| ·闪存 | 第71-72页 |
| ·铁电存储器 | 第72-74页 |
| ·磁性存储器 | 第74-75页 |
| ·相变存储器 | 第75-76页 |
| ·总结 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第四章 参考文献 | 第78-83页 |
| 第五章 阻变存储器的抗辐照特性 | 第83-101页 |
| ·Cu/HfO_2：Cu/Pt器件的抗辐照性能 | 第83-93页 |
| ·实验 | 第83-85页 |
| ·电学性能的辐照响应 | 第85-90页 |
| ·操作电压 | 第85-87页 |
| ·电阻状态 | 第87-88页 |
| ·耐受力 | 第88-89页 |
| ·保持特性 | 第89-90页 |
| ·电容 | 第90页 |
| ·不同辐照剂量的影响 | 第90-92页 |
| ·辐照后的反弹 | 第92页 |
| ·小结 | 第92-93页 |
| ·Cu/SiO_2：Cu/Pt器件的抗辐照性能 | 第93-96页 |
| ·实验 | 第93页 |
| ·结果与讨论 | 第93-95页 |
| ·小结 | 第95-96页 |
| ·辐照机理的分析 | 第96-97页 |
| ·实验 | 第96-97页 |
| ·结果与分析 | 第97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 第五章 参考文献 | 第99-101页 |
| 第六章 总结和展望 | 第101-103页 |
| ·当前工作总结 | 第101-102页 |
| ·未来工作展望 | 第102-103页 |
| 攻读学位期间发表论文、申请专利情况 | 第103-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
