首页--工业技术论文--自动化技术、计算机技术论文--计算技术、计算机技术论文--电子数字计算机(不连续作用电子计算机)论文--存贮器论文

基于二元金属氧化物的阻变存储器研究

中文摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第一章 绪论第11-25页
   ·非易失性存储器的发展第11-18页
     ·闪存(Flash)第12-13页
     ·分立电荷存储器第13-14页
     ·铁电存储器第14-15页
     ·磁性存储器第15-16页
     ·相变存储器第16-17页
     ·阻变存储器第17-18页
   ·存储器在空间中的应用第18-19页
   ·选题意义和研究内容第19-20页
   ·论文的组织结构第20-21页
 第一章 参考文献第21-25页
第二章 阻变存储器概述第25-45页
   ·阻变存储器概述第25-26页
   ·阻变存储器的材料第26-30页
     ·PCMO复杂氧化物第26-27页
     ·三元钙态矿氧化物第27-28页
     ·有机材料第28页
     ·固态电解质材料第28-30页
     ·二元金属氧化物第30页
   ·电阻转变机理第30-36页
     ·缺陷能级电荷充放电第31页
     ·空间电荷限制电流效应(SCLC)第31-33页
     ·肖特基发射效应第33-34页
     ·细丝机制第34-36页
   ·阻变存储器电学参数第36-37页
     ·操作电压第36页
     ·操作电流第36页
     ·电阻状态第36页
     ·耐受性第36-37页
     ·保持力第37页
     ·操作速度第37页
     ·多值存储第37页
   ·本章小结第37-38页
 第二章 参考文献第38-45页
第三章 基于二元金属氧化物的阻变存储器第45-65页
   ·Cu/HfO_2:Cu/Pt器件第45-57页
     ·实验第45-47页
     ·电学特性第47-49页
     ·转变机理第49-51页
     ·多值存储第51-54页
     ·适应温度第54-55页
     ·不同氧化层厚度的器件第55-57页
   ·Cu/HfO_2/Pt器件第57-59页
     ·实验第57页
     ·结果与分析第57-59页
   ·Cu/SiO_2:Cu/Pt器件第59-61页
     ·实验第59-60页
     ·结果与分析第60-61页
   ·本章小结第61-63页
 第三章 参考文献第63-65页
第四章 空间辐照对电子器件的影响第65-83页
   ·空间辐射环境概况第65-66页
   ·辐照对电子器件的影响第66-70页
     ·电离总剂量效应第66-69页
     ·单粒子事件效应第69-70页
   ·非易失性存储器的抗辐照特性第70-77页
     ·闪存第71-72页
     ·铁电存储器第72-74页
     ·磁性存储器第74-75页
     ·相变存储器第75-76页
     ·总结第76-77页
   ·本章小结第77-78页
 第四章 参考文献第78-83页
第五章 阻变存储器的抗辐照特性第83-101页
   ·Cu/HfO_2:Cu/Pt器件的抗辐照性能第83-93页
     ·实验第83-85页
     ·电学性能的辐照响应第85-90页
       ·操作电压第85-87页
       ·电阻状态第87-88页
       ·耐受力第88-89页
       ·保持特性第89-90页
       ·电容第90页
     ·不同辐照剂量的影响第90-92页
     ·辐照后的反弹第92页
     ·小结第92-93页
   ·Cu/SiO_2:Cu/Pt器件的抗辐照性能第93-96页
     ·实验第93页
     ·结果与讨论第93-95页
     ·小结第95-96页
   ·辐照机理的分析第96-97页
     ·实验第96-97页
     ·结果与分析第97页
   ·本章小结第97-99页
 第五章 参考文献第99-101页
第六章 总结和展望第101-103页
   ·当前工作总结第101-102页
   ·未来工作展望第102-103页
攻读学位期间发表论文、申请专利情况第103-107页
致谢第107-108页

论文共108页,点击 下载论文
上一篇:实体搜索与实体解析方法研究
下一篇:基于并五苯和酞菁铜的有机效应管及其集成电路研究