| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-12页 |
| ·氮化钽薄膜的应用 | 第6-9页 |
| ·铜互连中的应用 | 第6页 |
| ·金属电阻/电容的应用 | 第6-7页 |
| ·金属栅极的应用 | 第7-8页 |
| ·EUV光刻吸收层的应用 | 第8-9页 |
| ·课题研究意义和内容 | 第9-12页 |
| 第二章 干法刻蚀的基本原理及应用 | 第12-19页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·干法刻蚀原理 | 第12-16页 |
| ·等离子体 | 第12-13页 |
| ·等离子体的产生和维持 | 第13-14页 |
| ·刻蚀的基本原理 | 第14-15页 |
| ·刻蚀的形貌控制机制 | 第15-16页 |
| ·刻蚀气体的应用 | 第16-19页 |
| 第三章 氮化钽薄膜干法刻蚀模块工艺建立及其优化 | 第19-39页 |
| ·引言 | 第19-22页 |
| ·工艺开发要求 | 第19页 |
| ·实验机台简介 | 第19-21页 |
| ·样品设计 | 第21-22页 |
| ·主刻蚀工艺的开发 | 第22-30页 |
| ·功率和压力对刻蚀的影响 | 第22-24页 |
| ·气体流量对刻蚀速率的影响 | 第24页 |
| ·各工艺参数影响原因分析 | 第24-27页 |
| ·在光片上进行刻蚀速率的验证 | 第27-29页 |
| ·刻蚀速率在图形片上的验证 | 第29页 |
| ·a-Si损失量的确认 | 第29-30页 |
| ·过刻蚀工艺的开发 | 第30-32页 |
| ·过刻蚀对a-Si损失量的确认 | 第30-31页 |
| ·在光片上进行过刻蚀工艺对不同衬底刻蚀速率的验证 | 第31-32页 |
| ·刻蚀残留物的去除 | 第32-37页 |
| ·残留物成分及产生原因分析 | 第32-34页 |
| ·defence工艺的开发 | 第34-36页 |
| ·在光片上进行defence工艺刻蚀速率的验证 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 在集成流片中的工艺验证 | 第39-47页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·电学测试结果 | 第40-44页 |
| ·带有PVD Pre-clean处理的样品测试结果 | 第40-42页 |
| ·无PVD Pre-clean处理的样品测试结果 | 第42-44页 |
| ·样品测试结果机理分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 总结 | 第47-49页 |
| ·全文总结及结论 | 第47-48页 |
| ·进一步需要优化的问题 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |