| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| ·引言 | 第6页 |
| ·碳化硅材料国内外研究状况 | 第6-7页 |
| ·论文主要工作 | 第7-10页 |
| 第二章 碳化硅材料特性 | 第10-18页 |
| ·碳化硅材料电学特性综述 | 第10-12页 |
| ·霍尔迁移率的理论分析 | 第12-16页 |
| ·本章小结 | 第16-18页 |
| 第三章 碳化硅晶体材料水平热壁CVD外延生长机理研究 | 第18-36页 |
| ·SiC 晶体材料外延生长技术综述 | 第18-21页 |
| ·水平热壁 CVD 淀积设备 | 第21-25页 |
| ·化学反应机制分析 | 第25-30页 |
| ·不同衬底取向对外延生长的影响 | 第30-32页 |
| ·原位掺杂的杂质合并 | 第32-34页 |
| ·本章小节 | 第34-36页 |
| 第四章 碳化硅材料表征技术 | 第36-42页 |
| ·晶型的判断—拉曼分析 | 第36-37页 |
| ·缺陷表征 | 第37-41页 |
| ·本章小节 | 第41-42页 |
| 第五章 结束语 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 研究成果 | 第51页 |