| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·化学机械抛光发展的背景 | 第12-16页 |
| ·高分辨率光刻对表面平坦精度的要求 | 第12-13页 |
| ·降低互连延迟及镶嵌工艺形成互连结构的需要 | 第13-16页 |
| ·化学机械抛光的基础及要素 | 第16-21页 |
| ·抛光机台 | 第16-17页 |
| ·抛光垫 | 第17-18页 |
| ·抛光液 | 第18-19页 |
| ·CMP过程中主要参量 | 第19-21页 |
| ·化学机械抛光的去除机理模型 | 第21-22页 |
| ·CMP去除机理模型分类 | 第21页 |
| ·典型 CMP去除机理模型分析 | 第21-22页 |
| ·化学机械抛光的应用 | 第22-26页 |
| ·硅材料 CMP | 第23-24页 |
| ·介质 CMP | 第24-25页 |
| ·金属 CMP | 第25-26页 |
| ·CMP其它应用 | 第26页 |
| ·化学机械抛光的发展及趋势 | 第26-29页 |
| ·CMP发展历程 | 第26-27页 |
| ·CMP的发展趋势 | 第27-29页 |
| ·我国CMP及抛光液的发展现状 | 第29-31页 |
| ·本研究的主要内容 | 第31-32页 |
| 第二章 胶体二氧化硅研磨料制备及纯化研究 | 第32-52页 |
| ·研磨料种类及应用 | 第32-33页 |
| ·二氧化硅研磨料 | 第32-33页 |
| ·氧化铈(CeO_2)研磨料 | 第33页 |
| ·氧化铝(Al_2O_3)研磨料 | 第33页 |
| ·胶体二氧化硅研磨料的制备研究现状及存在问题 | 第33-38页 |
| ·胶体二氧化硅研磨料主要制备方法 | 第33-35页 |
| ·胶体二氧化硅的研究现状 | 第35-37页 |
| ·胶体二氧化硅制备现存问题 | 第37-38页 |
| ·水玻璃离子交换法制备大粒径胶体二氧化硅研磨料 | 第38-44页 |
| ·离子交换法制备工艺 | 第38-39页 |
| ·离子交换法制备不同粒径胶体二氧化硅研磨料 | 第39-42页 |
| ·生长机理分析 | 第42-44页 |
| ·硅粉催化水解法制备胶体二氧化硅研磨料 | 第44-47页 |
| ·硅粉催化水解法基本原理和特点 | 第44页 |
| ·硅粉催化水解法制备工艺 | 第44-45页 |
| ·硅粉催化水解法制备大粒径胶体二氧化硅研磨料 | 第45-47页 |
| ·TEOS水解法制备大粒径胶体二氧化硅研磨料 | 第47-50页 |
| ·TEOS水解法基本原理和制备工艺 | 第47页 |
| ·TEOS水解法制备大粒径胶体二氧化硅研磨料 | 第47-50页 |
| ·胶体二氧化硅研磨料的纯化 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第三章 硅衬底超精密 CMP及抛光液研究 | 第52-71页 |
| ·CMP抛光液组分分析及配制 | 第52-56页 |
| ·CMP抛光液中有机碱的作用 | 第52页 |
| ·CMP抛光液中研磨料的作用 | 第52-53页 |
| ·CMP抛光液中活性剂的作用 | 第53-54页 |
| ·CMP抛光液中鳌合剂的作用 | 第54-55页 |
| ·CMP抛光液中其它添加剂的作用 | 第55页 |
| ·CMP抛光液的配制注意事项 | 第55-56页 |
| ·单面硅片超精密抛光及抛光液研究 | 第56-64页 |
| ·抛光液中研磨颗粒大小的影响 | 第56-57页 |
| ·抛光液磨料浓度的影响 | 第57页 |
| ·抛光液的pH值的影响 | 第57-58页 |
| ·速率促进剂的影响 | 第58-59页 |
| ·抛光效果的表征 | 第59-64页 |
| ·双面硅片超精密抛光及抛光液研究 | 第64-68页 |
| ·双面抛光研究背景 | 第64-65页 |
| ·双面抛光实验部分 | 第65-66页 |
| ·双面抛光实验结果 | 第66-68页 |
| ·硅晶片超精密抛光机理分析 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第四章 相变材料 GST电化学及化学机械抛光研究 | 第71-95页 |
| ·硫系化合物Ge-Sb-Te相变材料的电化学特性分析 | 第71-81页 |
| ·抛光液中不同组分对GST电化学特性的影响 | 第71-76页 |
| ·非晶态GST和晶态GST微腐蚀电化学特性研究 | 第76-81页 |
| ·Ge-Sb-Te纳米抛光液及CMP研究 | 第81-87页 |
| ·GST抛光实验条件 | 第81-83页 |
| ·GST-CMP结果分析 | 第83-86页 |
| ·GST-CMP界面分析 | 第86-87页 |
| ·通过CMP形成Ge-Sb-Te填充工艺探索 | 第87-89页 |
| ·GST填充样品的制备工艺 | 第87页 |
| ·通过CMP形成Ge-Sb-Te填充结构 | 第87-89页 |
| ·湿法刻蚀Ge-Sb-Te形成CRAM器件单元工艺探索 | 第89-94页 |
| ·GST湿法刻蚀样品制备 | 第89-90页 |
| ·GST的湿法刻蚀 | 第90-92页 |
| ·湿法刻蚀Ge-Sb-Te制备CARM器件单元的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第92-94页 |
| ·4.5 本章小结 | 第94-95页 |
| 第五章 全文结论 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-103页 |
| 张楷亮博士后工作期间取得的相关科研成果 | 第103-106页 |
| 张楷亮博士期间所取得的相关科研成果 | 第106-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 张楷亮个人简历 | 第110页 |
